|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese|
RADYO ELEKTRONİK VE ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANSİKLOPEDİSİ STMICROELECTRONICS'ten bellek yongaları. Referans verisi
Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi / Mikro devrelerin uygulanması Makale, bellek yongaları da dahil olmak üzere dünyanın önde gelen elektronik bileşen üreticilerinden biri olan ve Flash bellek ve programlanabilir bellek sistemlerinin tek bir cihazda üretimi için benzersiz bir teknolojiye sahip olan STMicroelectronics tarafından geliştirilen ve üretilen çeşitli bellek türlerine genel bir bakış sunmaktadır. yonga. Şu anda STMicroelectronics (ST), aşağıdaki bellek yongası türlerini geliştirmekte ve ticari olarak üretmektedir: EPROM - gibi standart bellek yongaları dahil olmak üzere UV silmeli ve tek seferlik programlamalı bellek OTP и UV EPROM gelişmiş bellek yongaları OTP и UV EPROM aile Kaplan Aralık, yeni bir bellek ailesinin yongaları esnekROM, MaskROM'un yanı sıra bellek yongalarını değiştirmek için tasarlanmıştır PROM и RPROM ST'nin bir parçası haline gelen WSI (ABD); EEPROM и SERİ NVM (seri kalıcı uzun süreli bellek) - bellek yongaları seri yeniden programlanabilir kalıcı bellekten üretilir EEPROM farklı veri yolu arayüzü ile seri çipler flaş -bellek, standart özel amaçlı bellek yongaları (ASM) ve temassız (TEMASSIZ HATIRALAR) hafıza kartı; Flash bellek türü NOR - ST, Flash bellek yongaları üretmektedir: farklı güç kaynaklarına sahip endüstri standardı, çeşitli uygulamalar için genişletilmiş mimari, heterojen bellek yongaları ve ailenin Flash bellek yongaları " Işık Flaşı "; Flash bellek türü NAND - bellek yongaları ST üretiminde yeni bir yön. SRAM - ST, farklı güç kaynağı ve hıza sahip asenkron düşük güçlü SRAM bellek yongaları üretir; NVRAM'ı - Supervisors, Zeropower, Timekeeper ve Serial Real Time Clock (Seri RTC) olarak sınıflandırılan pil yedeklemeli SRAM için çeşitli çözümler vardır; PSM - "çip üzerindeki sistemler" stratejik yönü doğrultusunda ST, mikrodenetleyiciler ve sinyal işlemci (DSP) geliştirmeleri için eksiksiz bir bellek sistemi çözümü sağlayan programlanabilir bellek yongaları tasarlar ve üretir; Akıllı kart - Smartcard ve güvenlik sistemleri için çok çeşitli çipler mevcuttur. ST tarafından üretilen çok sayıda bellek yongası türü ve türü, tek bir inceleme makalesi çerçevesinde bile ayrıntılı kapsamlarına izin vermez. Bu nedenle, burada sadece Şekil 1'de gösterilenlerden bazı ST bellek yongaları ailelerinin ana özellikleri üzerinde durmaya çalışacağız. bir.
ST, dünyanın önde gelen bellek üreticilerinden biridir. OTP и EPROM Üretim sonunda programlandıkları için maske ROM'larını tasarlamak, üretmek ve değiştirmek için uygun olan UV silme ile. Üretilen mikro devreler, 64 ve 64 V güç kaynağı, yeterli hız, yüzey montajı dahil çeşitli paketler ile 5 kbps'den 3 Mbps'ye kadar kapasiteye sahiptir. Cihaz bellek organizasyonu, x 8, x 16 ve x 8 / x 16 tipinde olabilir. Formdaki ST bellek yongalarının tanımlarının deşifre edilmesi OTP и UV EPROM Şek. 2. Ürün portföyü, ailenin gelişmiş IC'leri olan standart 5V ve 3,3V IC'leri içerir. Kaplan Aralık 3 V güç kaynağı (2,7-3,6 V) ve yeni bir ailenin mikro devreleri ile EsnekROM™. Bu bellek türleri, FDIP seramik pencereli ve PDIP plastik çift sıralı paketlerin yanı sıra yüzeye monte PLCC ve TSOP paketlerinde mevcuttur. Alçak gerilim serisi için Kaplan Aralık ST en son teknolojiyi kullandı OTP ve UV EPROM. Taban katmanlarının kalınlığıyla ilgili yapısal iyileştirmeler, elektrik performansını önemli ölçüde iyileştirmeyi mümkün kılmıştır. Kapı oksit tabakasının kalınlığındaki %25'lik bir azalma, hücre eşik voltajını düşürmeyi ve 2,7 V ile çalıştırıldığında örnekleme oranını artırmayı mümkün kılmıştır. STMicroelectronics, tüketiciye gelişmiş elektriksel özelliklere sahip yeni ürünler sunmaya çalışmaktadır ve bu nedenle müşterilerin "V" serisini 3 - 3,6 V besleme ile "W" serisi ile değiştirmelerini tavsiye etmektedir - Kaplan Aralık, 2,7 - 3,6 V ile çalıştırıldığında en iyi performansa sahip seri için zamanlama parametreleri Kaplan Aralık çiplerin 2,7V ve 3V'de iki kez test edilmesiyle garanti edilir.2,7V'deki erişim süresi çip üzerinde işaretlenmiştir ve daha hızlı erişim süresi açıklamada belirtilmiştir. 2,7 V üzerindeki besleme gerilimleri için erişim süreleri geçerlidir. aile UV ve OTP EPROM Kaplan Aralık ultra düşük tüketim, yüksek çalışma hızı ve aynı zamanda kısa programlama süreleriyle hızlı erişim ile karakterizedir. Chip programlama süresi hem word hem de byte programlama modları için aynıdır. Yoğunluğu 4 MB ve 8 MB olan en yeni yongalar için programlama hızı kelime veya bayt başına 50 µs'ye yükseltildi. Alçak gerilim serisinin mikro devreleri Kaplan Aralık standart 5V serisi ile tam uyumlu pin UV и OTP EPROM . Bu, mikroişlemci gücünün 5V'tan 3V'a değiştirildiği uygulamalar için tam uyumlu olmalarını sağlar.
ST'nin EPROM teknolojisi sürekli olarak geliştirilmektedir. 64 M bitlik bir kapasiteden başlayarak yüksek kayıt yoğunlukları elde etmek için çok bitli bellek hücresi teknolojisinin kullanımına dayanan yeni bir bellek yongası mimarisinin tanıtımıyla yeni perspektifler açılıyor. Ek olarak, her yeni gelişme, mikro devrelerin elektrik performansını iyileştiren birkaç fotolitografik yenilik içerir. WAFERSCALE INC'nin (ABD) STMicroelectronics'e girişiyle, bu tip bellek yongaları sağlama olasılığı PROM (programlanabilir ROM) / RPROM (yeniden programlanabilir ROM). Bu IC'ler üç çalışma sıcaklığı aralığında mevcuttur: ticari (0 ila +70°C), endüstriyel (-40 ila +85°C) ve askeri (-55 ila +125°C). Ayrıca EPROM da dahil olmak üzere bazı bileşenler askeri standarda (SMD) göre üretilmektedir. STMicroelectronics'in elektrikle programlanabilir ROM'lar alanındaki en son gelişimi, bir EsnekROM™, herhangi bir ROM için basit bir yedek olarak kullanılabilir. ST'nin 0.15 µm teknolojisi kullanılarak üretilen bu tek seferlik programlanabilir aile, 16 M bitlik başlangıç bellek kapasitesiyle tüketiciye sunulmaktadır. Yeni bellek yongası ailesi "FlexibleROM", geçici olmayan bellek türünü ifade eder ve program kodunu depolamak için tasarlanmıştır. "FlexibleROM" - gelecekte program kodunu değiştirme planları yoksa, maske ROM'u (MaskROM) yerine kullanım ve programın hatalarını ayıkladıktan sonra Flash bellekten ROM'a geçiş için idealdir. Flash tabanlı teknoloji sayesinde programlama süresi de büyük ölçüde azalır. Esnek ROM'lar, 64M bitlik bir aygıtın dokuz saniye gibi kısa bir sürede programlanmasına izin veren genel bir yüksek veri hızlı ayrıntılı program özelliği ile sağlanır. Diğer Tek Seferlik Programlı ROM'lara göre bir başka avantaj, test sırasında bellek dizisinin işlevselliğinin %100'ü doğrulandığından, yüksek programlama çıktısıdır. Esnek ROM bellek yongaları, okuma işlemleri için 2,7 V ila 3,6 V ve programlama için 11,4 V ila 12,6 V arasında bir besleme voltajı kullanır. Cihazlar 16 bitlik bir organizasyona sahiptir, varsayılan olarak, güç açıldığında, ROM (ROM) veya EPROM (EPROM) olarak okunabilmeleri için bellek modu "Oku" olarak ayarlanmıştır. Seri Kalıcı Bellek - yeni bir değer yazmadan önce verileri silmeye gerek kalmadan bayt seviyesine kadar yazma yeteneği sağlayan en esnek uçucu olmayan kalıcı bellek türüdür. Bu onları parametreleri depolamak için ideal kılar. ST'nin seri flash bellek aileleri, "sektör silme/sayfa yanıp sönme" ve "sayfa silme/sayfa yanıp sönme" özelliklerine sahiptir. Bu, seri EEPROM'un bayt düzeyi özelliğiyle eşleşmeyen bir grenlilik özelliğine sahip standart Flash belleğe kıyasla belleğin daha ince ayrıntı düzeyi nedeniyle mümkündür. ST, ev aletlerinde seri bellek yongaları kullanma konusunda zengin deneyime sahiptir. Otomotiv elektroniğinin yanı sıra bilgisayar bileşenleri ve çevre birimleri pazarı için bellek yongalarının üretiminde lider bir konuma sahiptir. Bu alanlar, uzun süreli bellek yongalarının ana tüketicileridir. için bu yıl EEPROM 0.35 mikron üretim teknolojisi kullanan firma, piyasanın ihtiyaçlarına göre bellek kapasitesini 1 Mbps'ye kadar çıkarabiliyor. Aynı zamanda seri Flash belleğin üretim teknolojisi 0.18 µm seviyesine ulaşmış ve bu tip belleklerin tamamen piyasa taleplerine uygun olarak üretilmesi mümkün hale gelmiştir. ST seri NVRAM portföyü, 256 bitten 16 Mbit'e kadar bir dizi devre içerir. Tüm ST bellek yongaları, kullanımlarını kolaylaştıran açıklamalar, uygulama örnekleri ve model dosyaları ile sağlanır. ST seri kalıcı bellek yongaları beş voltaj aralığında mevcuttur: 4,5 V ila 5,5 V, 2,5 V ila 5,5 V, 2,7 V ila 3,6 V, 1,8 V ila 5,5 V ve 1,8 V ila 3,6 V. Tasarım dayanıklılığı EEPROM - 40 yılı aşkın süredir veri güvenliği ile bir milyondan fazla yeniden yazma döngüsü. Yongalar, geleneksel PSDIP, TSSOP, SO ve ayrıca modern LGA ve SBGA (ince film) türleri dahil olmak üzere çeşitli paketlerde üretilmektedir. Ayrıca talaşların bir tambur üzerinde ve kesilmemiş halde paketler halinde tedarik edilmesi mümkündür. ST Microelectronics, geniş bir yelpazede yüksek kaliteli seri bellek üretmektedir. eprom, 1 kb'den 1 Mb'a kadar yoğunluğa sahip, üç endüstri standardı seri veri yolu (400 kHz, I?C, 2 M bit'e kadar yoğunluğa sahip 1 telli veri yolu, hızlı 1 M Hz veri yolu tipi) MİKROTEL (r) 1 kbps'den 16 kbps'ye kadar bir yoğunluğa ve 10 kbps'ye kadar yoğunluğa sahip ultra hızlı 256 MHz SPI veriyoluna sahip), 5 V, 2,5 V ve 1,8 V güç kaynağına sahip. Tipik paketler için seri EEPROM gösterimi gösterilmektedir. Şekil 3'te Kesilmemiş plakalar ve tamburlardaki mikro devreler için gösterimler biraz farklı olabilir.
mikroçipler tutarlı I veri yolu ile EEPROM2C önerilen için veri toplama ve depolama için yüksek veri yolu hızı gerektirmeyen, ancak bayt bayt ve sayfa bayt okuma/yazma yapabilmek isteyen uygulamalarda kullanın. Veri yolu, 400 V'a kadar besleme voltajlarında 1,8 kHz'de çalışır. ST'nin seri EEPROM'u çeşitli paketlerde mevcuttur: çift sıralı plastik DIP, SO, MSOP, TSSOP yüzeye montaj ve SBGA top dizisi. Hafıza kartı SPI veri yolu ile EEPROM yüksek hızlı bus uygulamaları için tercih edilir. 5 MHz'den 10 MHz'e kadar hızlara ve 512 kbps'den 1 Mbps'ye kadar kapasitelere sahip yongaların ortaya çıkmasıyla bu veri yolu, bellek yongası pazarında hızla popülerlik kazanıyor. SPI veri yoluna sahip EEPROM'ların girişi var AMBAR ("Yakalama"), veri yollarında veri dizilerini iletme sürecinde duraklamalar sırasında senkronizasyonu korumanıza izin verir. Ayrıca özel kontrol girişi mevcuttur. W bellek matrisini yazmaya karşı korumak için. Hafıza kartı EEPROM ile otobüs MICROWIRE® 256 bitten 16 kbite kadar kapasitelerde mevcuttur. Şu anda, MICROWIRE veri yolu, harici adres/veri yolları kullanmadan yeterince yüksek veri aktarım hızı gerektiren birçok modern cihazda yaygın olarak kullanılmaktadır. ST ailesi yüksek hızlı, düşük voltajlı seri Flash bellek yongaları, seri EEPROM yerine Flash belleğin kullanılmasına izin veren dört kablolu SPI uyumlu bir arayüze sahiptir. Son derece dayanıklı CMOS Flash teknolojisi kullanılarak üretilen bu çipler, 10000 yılı aşkın veri saklama ile sektör başına en az 20 yeniden programlama döngüsü sağlar. Şu anda, sektör veya sayfa silme özelliğine sahip Seri Flash belleğin tamamlayıcı iki alt ailesi vardır: Sayfa Programlamalı Seri Silme Flaşı: M 25 Pxx serisi (tamamen üretimde) Sayfa Silme ve Programlama ile Seri Flaş Bellek: M 45 PExx serisi (bu yeni bir seridir, numuneler mevcuttur, tam üretim devam etmektedir). Farklı yüksek yoğunluklu seri kalıcı bellek yongalarına bakıldığında, 25 MHz M25Pxx, diğer birçok seri flash bellek yongasından önemli ölçüde daha hızlıdır. ST Serial Flash ailesi, minimum sayıda talimatla 1 ms'de 43 MB RAM yükleyebilir ve bu da kullanımlarını kolaylaştırır. Teknik ve yazılım korumaları, saklanan bilgilerin üzerine yazılmasını önler. Güç tüketimini azaltmak için bu IC'ler tek bir 2,7 V ila 3,6 V kaynağından çalışır ve 1 µA'dan daha az akım tüketen düşük güç moduna sahiptir. Ek olarak, dört telli arayüz, veri yolu iletişimini kontrol etmek için kullanılan cihaz pinlerinin sayısını büyük ölçüde azaltır, bu da yüksek entegrasyon ve diğer benzer devrelere göre daha düşük maliyet ile sonuçlanır. M25Pxx serisi bellek yongaları geniş ve dar S08, LGA ve MLP paketlerinde mevcuttur. Değerlendirme ve programlama için M 25 PXX, kullanışlı bir programlayıcı/okuyucuya sahiptir. Bu programlayıcı doğrudan bir PC'ye bağlanır ve kullanıcıya herhangi bir konfigürasyonda M 25 xxx Seri Flash belleğe doğrudan erişim ve kontrol sağlar. M45PExx, öncekinden daha yüksek tane boyutuna sahip bir dizi yüksek performanslı kalıcı bellek yongasıdır. 256 baytlık herhangi bir sayfa ayrı ayrı silinebilir ve programlanabilir ve Yaz komutu, verileri bayt düzeyinde değiştirme olanağı sağlar. Ayrıca, M45PExx'in mimarisi, gerekli uygulama yazılımını en aza indirecek şekilde optimize edilmiştir. 256 baytlık bir sayfayı değiştirmek için yazmak 12 ms, programlamak 2 ms veya silmek için 10 ms sürer. Bu, M45PExx yüksek performanslı seri kalıcı bellek yongalarını, sık sık değişen büyük miktarda verinin depolanmasını gerektiren uygulamalarda kullanım için çok uygun hale getirir. Özelleştirilmiş bellek yongaları, belirli uygulamalar için bireysel özelliklere sahiptir veya gereksinimlere göre tasarlanır. Spesifik I/O devreleri ve özel dahili mantığa sahip standart bellek dizilerini temel alırlar. Bu ürünler seri EEPROM'a dayalıdır ve VESA standardına sahip "Tak ve Çalıştır" bilgisayar monitörü, bilgisayar DRAM modülleri vb. gibi uygulamalar için mantık içerir. Bu mikro devreler arasında şunlar not edilebilir: M24164-16 K b basamaklı EEPROM özel adresleme ile tek bus üzerinde 8 cihazı kademeli olarak kullanma imkanı ve I 2C bus'ında çakışma olması durumunda kullanılan özel adresleme. Pazarımızda yaygın olarak kullanılabilecek bir başka özel çip, M 34 C 00 - elektronik kart tanımlayıcısı, tahta hakkında küçük elektronik notları saklamak için tasarlanmıştır . M34C00, kayıt numarasını, fabrika ayarlarını (varsayılan), kullanıcı ayarlarını, kartın ömrü boyunca meydana gelen olaylara ilişkin verileri, herhangi bir kartın arızaları ve servis bakımı hakkında bilgileri vb. silinemez (OTP-tipi), bir standart EEPROM bankası ve kalıcı yazmaya karşı korumalı bir standart EEPROM bankası), iki telli I ? C bus seri arayüzü, 3 V - 128 V besleme, SO 2,5 veya TSSOP 5,5 muhafaza, çalışma sıcaklığı - 8 … + 8°C. Temassız bellek yongaları belirli bir üründür. Sınıflandırmalarına göre, bir yandan özel EEPROM'lara atfedilebilirlerken, diğer yandan son zamanlarda çeşitli alanlarda yaygın olarak kullanılan bağımsız bir bellek türü olarak ayırt edilebilirler. ST, temassız iletişim belleği için yeni bir ISO standardının geliştirilmesine katkıda bulunmuştur - ISO 14443 tip B (taşıma ve diğer birçok uygulamada Akıllı kartlardaki mikro denetleyici cihazlarda uygulanmaktadır), ayrıca ISO 15693 ve ISO 18000. ST artık etiketler, radyo frekansı tanımlama (RFID) ve özel bellek yongaları kullanan temassız erişim sistemleri gibi uygulamalar için yeni bir dizi temassız bellek yongaları ve temassız RF iletişim yongaları sunuyor. Rusya pazarında popüler olan bu tür bazı mikro devrelerin özelliklerini not ediyoruz. yonga SRİX 4 K OTP, ikili sayıcı ve yazma korumalı 4096 kullanıcı bitlik EEPROM'a sahiptir. ISO 14443-2/3 tip B'ye uygundur. France Telecom tarafından patentli klonlama önleme işlevine sahiptir. 13,56 M Hz taşıyıcı frekansında, 847 kHz alt taşıyıcı frekansında, 106 kbps veri hızına sahip bir frekansta çalışır. Okuyucudan karta veri iletimi için genlik modülasyonu (ASK) ve karttan okuyucuya veri iletimi için ikili faz modülasyonu (BPSK) kullanır. yonga LRI 512 veri bloğu seviyesinde kilitlemeli 512 bit'e sahiptir. ISO 15693 (1 metreye kadar) ve E gerekliliklerine tamamen uygundur. A. S. Bir veya iki alt taşıyıcı frekansında yüksek ve düşük veri hızlarında 13,56/1 ve 4/1 darbe kodlaması ile 256 MHz taşıyıcı frekansında çalışır. Okuyucudan karta aktarım sırasında veri genlik modülasyonu, karttan okuyucuya aktarım sırasında Manchester kodlaması yapılır. bir mikroçipte CRX14 ISO 14443 tip B protokollü ve modülasyonlu (radyo arayüzü) çip üzerinde telsiz haberleşme mekanizması bulunmaktadır. France Telecom'un patentli anti-klonlama özelliğine sahiptir. İki telli bir seri veri yolu üzerinden 400 kHz'de tabana seri erişim sağlar. Sekiz adet CRX 14 ile bir veri yoluna bağlanma özelliğine sahip C. Giriş ve çıkış paketi için 32 baytlık bir ara belleğe ve yerleşik bir CRC hesaplayıcıya sahiptir. S 016 Narrow (sıkıştırılmış) kasada üretilmiştir. ST, geçici olmayan RAM yongaları geliştiren ve üreten birkaç şirketten biridir (NVRAM). Arızalar ve harici güç kaybı sırasında RAM verilerinin güvenliğini sağlamak için ST'nin çözümü, doğrudan çipin veya ana kartın üzerinde bulunan bir yedek güç (minyatür lityum pil) kullanmaktır. RAM tabanlı görevlere dayalı olarak ST, dört tip NVRAM yongası üretir: Süpervizörler, ZEROPOWER® NVRAM, Seri RTC ve TIMEKEEPER® NVRAM. İki süpervizör sınıfı vardır: mikroişlemci süpervizörleri (Mikroişlemci süpervizör) ve geçici olmayan ROM denetçileri (NVRAM'ı süpervizör), ve her iki sınıfın bir kombinasyonu da mümkündür. Mikroişlemci süpervizörünün (µ P) ana işlevleri voltaj izleme ve bekçi köpeği işlevidir. Mikroişlemci denetçilerinin çoğu bu özellikleri içerir. Kombine mikro devrelerde, diğer fonksiyonların entegrasyonu da mümkündür. NVRAM süpervizörünün ana işlevleri, pil değiştirme ve yazma koruması ile voltaj izlemedir. Voltaj monitörü, güç kaynağı voltajını izleyerek ve bir sinyal üreterek mikroişlemciyi (ve sistemi) korur. SIFIRLA (SIFIRLA) mikroişlemcinin kabul edilemez derecede düşük bir besleme voltajı değerinde başlangıç durumuna geçişi için. Bu seçenek denir Düşük Gerilim belirlemek (LVD) - "Düşük voltaj algılama". Açılışta, voltaj monitörü ayrıca besleme voltajı stabilize olana kadar bir RESET sinyali verir. Bu seçenek denir Güç - on Reset (por) - "Güç açıldığında sıfırla". Yerleşik bir acil durum pil anahtarlama devresi, harici güç kaynağının voltajını izler. Belirli bir anahtarlama eşiğinin altına düştüğünde, içinde veri depolamak için düşük güçlü statik RAM'e (LPSRAM) sürekli voltaj sağlayan pil gücüne geçiş gerçekleşir. Entegre bir yazma koruma devresi, harici güç kaynağının voltajını izler ve belirli bir eşik seviyesinin altına düştüğünde LPSRAM'e erişimi kapatır. Bazen, geçici olmayan RAM elde etmek için geliştiriciler, mevcut modülleri kullanmak yerine bunları oluşturma sorununu çözerler. Standart düşük güçlü RAM (SRAM), bir pil, bir yazma koruma devresi ve bir pil anahtarlama devresi eklenerek NVRAM'a dönüştürülebilir. ST, tüm bu özellikleri entegre eden birkaç cihaza sahiptir. Ayrıca pil ve kristal, bir NVRAM çözümü geliştirme görevini basitleştiren bir SNAPHAT ® paketine entegre edilmiştir. Gerçek zamanlı saat, gerçek zamanlı saate güç sağlamak için bir pil anahtarına ve bir yazma koruma devresine ihtiyaç duyduğundan, gerçek zamanlı saatin NVRAM süpervizöründe olmasını istemek doğaldır. ST'nin bu kombinasyona sahip üç çipi var - bunlar çipler M41ST85, M48T201 и M48T212 . Bu aygıtların üçü de mikroişlemci denetleyici işlevlerini içerir: POR, LVD ve watchdog. Gerçek zamanlı saate sahip NVRAM süpervizörlerine "TIMEKEEPER® Supervisor. En son ST gelişmelerinden biri bir çiptir. M41ST87 Yazar kasalarda kullanılmak üzere tasarlanmış SOX28 kasasında. Bu süpervizör, yüksek derecede veri koruması ve güvenliği gerektiren uygulamalar için özel olarak tasarlanmıştır. mikro devreler M41ST87 POS ve kredi kartı terminalleri gibi uzak cihazların güvenliğini sağlamak için gözetmen içindeki kurcalama algılama ve silme şemaları ile birleştirilmiştir. NVRAM süpervizörünü, seri gerçek zamanlı saati ve mikroişlemci süpervizörünü yeni bir 28 pimli ST SOIC (SOX28) paketine entegre ederler. Kristale ek olarak, SOX28 paketi ayrıca mikro devrenin temas alanının profilini ve boyutunu azaltan 32 kHz'de kuvars içerir. 3V ve 5V versiyonları bulunan M41ST87, birçok farklı işlevi entegre eder ve yedek güç kaynağını harici bir pilden kullanır veya normalde sistemlerde bulunur ve maliyet tasarrufu da sağlar. İzinsiz giriş tespit devresi, her biri birkaç farklı bağlantı şeması için yapılandırılabilen iki bağımsız girişe sahiptir. Kurcalama olgusunun algılanması üzerine, kullanıcı seçenekleri arasında dahili 128 bayt RAM'in temizlenmesi, sistem mikroişlemcisine bir kesinti gönderilmesi ve harici RAM'i temizlemek için özel bir sinyal pimi bulunur. Bu özellikler, bir saldırganın herhangi bir RAM'de bulunan hassas verilere (örneğin, bir kullanıcının parolası) erişmesini ve ayrıca bir güvenlik ihlalinden haberdar olmak için sistem işlemcisini kesintiye uğratmasını engeller. Bu işlevler, M41ST87 yongaları pil destekli modda çalıştırıldığında da sağlanır. Diğer güvenlik seçenekleri arasında saat hatası algılama ve kurcalama algılandığında otomatik zaman damgası bulunur. Ayrıca M41ST87, kullanıcıya benzersiz bir 64-bit seri numarası sağlar. Gömülü kuvarslı M41ST87 çip paketi de güvenliğe katkıda bulunur. Yerden ve sistem bakımıyla ilgili maliyetten tasarruf etmenin yanı sıra, kuvars dışarıdan erişime kapalıdır. Ayrıca doğal çevrenin etkilerinden daha iyi korunur. Tüm faktörler göz önüne alındığında, ST'nin böyle bir çözümünün bir bütün olarak sistemin maliyetini düşürmenize izin verdiği söylenebilir. Chip NVRAM Süpervizörü M41ST87 düşük güçlü RAM'i yönetmek için kullanılabilir. Aşağıdaki yerleşik devreler burada yer alır: otomatik bir pil anahtarlama devresi, RAM'i yazmaya karşı korumak için bir erişim izin devresi (Chip - Enable Gate) ve bir pil monitörü. Bu, kullanıcının LPSRAM'a güç sağlamak için M41ST87 yedek pilini kullanarak bir NVRAM oluşturmasına olanak tanır. M41ST87, saniyenin yüzde biri ile yüzlerce yıl arasında değişen çözünürlüklerle saat ve tarihi izleyen sayaç kayıtlarına sahip programlanabilir, pille çalışan gerçek zamanlı bir saate dayanmaktadır. 2 kHz frekanslı I 400 C arayüzü üzerinden erişilirler. Düşük güçlü CMOS teknolojisi kullanılarak oluşturulan M41ST87 gerçek zamanlı saat devresi RAM'i, 256 baytlık kayıtlarla 8x21 bit olarak düzenlenir ve kendi NVRAM'inin 128 baytına ve benzersiz bir sıra numarasına tahsis edilmiş 8 bayta sahiptir. M41ST87 Mikroişlemci Denetleyicisi, 1,25 V karşılaştırma referansına sahip iki bağımsız Güç Arızası Ön Arıza (PFI/PFO) devresi, iki girişte birden çok kaynaktan tetiklenebilen bir sıfırlama devresi ve sinyal çıkışı olan bir elektrik kesintisi algılama devresi içerir. . 62,5 ms'den 128 saniyeye programlanabilir zaman aşımına sahip bir bekçi uygulaması zamanlayıcısı da sıfırlama kaynağı olarak kullanılabilir. Ek olarak, kurcalama algılama devreleri, sıfırlama kaynakları olarak yapılandırılabilir. PFI/PFO devrelerinden biri veya her ikisi sadece bir güç kesintisinin ön uyarısı için değil, aynı zamanda tekrar kapama devrelerini kontrol etmek için de kullanılabilir. Böylece, M41ST87 kullanılarak en fazla üç farklı besleme voltajı (Vcc dahil) izlenebilir. Düşük profilli SOX28 paketi, kartta çok az yer kaplar (pimler dahil 2,4x10,42 mm). M41ST87 yongaları, -40 o C ile +85 o C arasındaki endüstriyel sıcaklık aralığında çalışır. Yüzeye montaj ve yüksek yoğunluklu RAM çözümleri için ST, ayrı bir süpervizör ve birden çok LPSRAM kullanılmasını önerir. Böyle bir çok çipli çözüm, genellikle diğer çözümlerden daha az kart alanı gerektirir ve hibrit DIP'lerden çok daha düşük maliyetlidir. Kullanıcılar, uygun ST NVRAM Süpervizörüne farklı miktarlarda LPSRAM bağlayarak çok çeşitli yoğunlukların ve yeteneklerin yapılandırılmasına olanak tanır. Tipik kombinasyonlar şunları içerir: - Dört adet M16Z3 tipi düşük güçlü RAM ile üst pil olmadan M5Z40 süpervizör kullanan 300Mbps, 68V veya 512V SMT çözümü; - M1SZ4W SNAPHAT® süpervizörü ve düşük güçlü SRAM tipi M3Z40W veya M100Z68W kullanan 128Mbit veya 68Mbit, 512V SMT çözümü. Seri IC'ler ZEROPOWER® adını harici şebeke gücünün olmadığı durumlarda veri kaydetme yeteneğinden almıştır. İki ana bileşenden oluşurlar: düşük güçlü RAM (LPSRAM) ve denetleyici NVRAM (Şekil 4). Tipik LPSRAM, yalnızca pille çalışırken tipik olarak bir µA'dan daha az tüketir ve minyatür bir lityum pille çalıştırıldığında verileri birkaç yıl saklayabilir. NVRAM süpervizörü iki ana devreden oluşur: bir pil değiştirme devresi ve bir yazma koruma devresi. Batarya anahtarlama devresi, LPSRAM gücünü sistem tarafından düzenlenen güç kaynağından (Vcc) batarya gücüne (Vbat) çevirir. Bu devre Vcc'yi izler ve düşmeye başladığında, LPSRAM'e giden güç yedek aküye geçer.
Vcc belirli bir eşik değerinin altına düştüğünde, mikroişlemci düzensiz davranabilir ve bu hatalı yazmalara ve hatta RAM içeriğini temizlemeye neden olabilir. Yazma koruma devresi, bu durumu önlemek için mikroişlemcinin LPSRAM'a erişmesini engeller. Tüm mikro devreler ZEROPOWER® NVRAM'ı ST şirketleri aynı yeteneklere sahiptir ve başka hiçbir harici devreye gerek yoktur. Şu anda, mikro devreler, aynı çip üzerine entegre edilmiş NVRAM ve LPSRAM süpervizörleri ile 256 kbit ve altı yoğunluğa kadar üretilmektedir. Daha yüksek yoğunluklar için hala iki ayrı mikro devre kullanılmaktadır.
ST'nin NVRAM yongaları çeşitli paketlerde mevcuttur. Temel yüzeye montaj paketi (SMT) pakettir. SNAPHAT® (Şekil 5a). SOH 28 paketindeki çip, standart bir SRAM pin çıkışına sahiptir ve pil, değiştirilmesini kolaylaştıran klipslerle üste sabitlenmiştir. Muhafaza Tipi KAPTAN (Şek. 5b) çıkarılabilir olmayan bir pile sahiptir. Açık delik uygulamaları için tavsiye edilir. Delikten montaj çözümleri ve yüksek RAM yoğunluğu için, LPSRAM ve süpervizörün bir pille birlikte ortak bir baskılı devre kartına monte edilmiş ayrı yongalar olduğu hibrit bir DIP paketi sunulur (Şekil 15c). Şu anda 16M bit'e kadar RAM yoğunlukları mevcuttur. Geliştiriciler göz önünde bulundurulduğunda, en yeni ZEROPOWER ® NVRAM'lerden biri, düşük profilli bir paketteki M 48 Z 32 V yongasıdır. Yonga M48Z32V 32 V'ta 8 Kx3,3 bellek yoğunluğuna sahip LPSRAM'e sahiptir. Düşük profilli 44 pinli SOIC paketi, devre kartının yalnızca 0.12" (3,05 mm) üzerinde yükselerek kullanıcılara kart düzeninde daha fazla esneklik sağlar ve tasarımcılar için yükseklik endişelerini ortadan kaldırır . yonga M48Z32V 256 kbit düşük güçlü SRAM ile birlikte elektrik kesintisi durumunda dahili pil yedekleme anahtarı ve yazma koruma devrelerine sahiptir. Bu yongaların erişim süresi M35Z48V-32MT35 için 1 ns ve M70Z48V-32MT70 için 1 ns'dir. Yalnızca 200nA (tip. 40°C'de) tüketen M48Z32V, 18 mAh kapasitesiyle on yıllık pil ömrü boyunca veri depolayabilir. Bu çip, kartta zaten lityum pil içeren sistemlerle uyumludur. Düşük profilli bir kasayı değerle birleştirmek M48Z32V birçok uygulamada başarılı bir NVRAM çözümü olarak kullanılmasına izin verir. Herhangi bir pil kaynağına bağlanmak için kontaklarını kullanan M48Z32V yongası, herhangi bir mikroişlemci veya mikro denetleyici için sıradan bir asenkron statik RAM olarak kullanılabilir. M48Z32V, SOH44 SNAPHAT® tipi ST paketine benzeyen ancak üst pili olmayan bir SO44 paketinde üretilmiştir. 3,3V (±%10) besleme ile çalışır ve ticari sıcaklık aralığında (0 ila 70°C) çalışır.
mikroçipler ZAMAN KEEPER® NVRAM'ı NVRAM ST çekirdek teknolojisinin kullanımına dayanmaktadır. ZEROPOWER ® NVRAM yongaları pille çalıştığından, gerçek zamanlı bir saatin eklenmesi, NVRAM yongalarının yeteneklerini ve uygulamalarını büyük ölçüde genişletir. Adınız ZAMAN KEEPER® bu tür mikro devreler, harici sistem gücünün yokluğunda bile sisteme tam zamanı, günü ve tarihi veren bir takvime sahip gerçek zamanlı bir saatin varlığı nedeniyle tam olarak elde edildi (Şekil 6). TIMEKEEPER ® NVRAM yongaları, 32 kHz kristal osilatör de dahil olmak üzere gerçek zamanlı saat/takvim devresinin eklendiği ZEROPOWER ® NVRAM'e dayanmaktadır. LPSRAM'de veri depolamak için kullanılan acil durum güç anahtarlama devresi de RTC için kullanılır. Benzer şekilde, RTC yazma koruması için NVRAM yazma koruması şeması uygulanır. RTC jeneratörünün gücü optimize edilmiştir ve tüketimi 40 nA'yı geçmez. Gerçek zamanlı saatin çalışma prensibi, 32 kHz'lik bir osilatör kullanmak ve ardından birkaç sayaç tarafından frekans bölümü kullanmaktır. İlk sayaç, osilatör frekansını 32,768'e böler ve çıkışında bir hertz frekanslı bir sinyal üretir. Bir sonraki sayaç saniye sayısını sayar ve dakika sayacına dakikada bir sinyal gönderir. Sonraki ardışık sayaçlar, frekansı her yüzyılda bir darbe verilene kadar bölmeye devam eder. Her aydaki gün sayısını yönetmek ve artık yılları hesaba katmak için ek mantık kullanılır. Sayaçların çıkışlarındaki veriler o anki saat ve tarihe karşılık gelir. Bu parametreler NVRAM dağıtılmış bellek alanına aktarılır ve RAM hücrelerinin sıradan adresleri olarak görünür. Kullanıcılar bu adresleri NVRAM alanında okuyarak/yazarak saat ve tarihi okur/yazarlar. Tamponlar, RTC verilerinin "kesintisiz" okunmasını/yazılmasını sağlar. RTC okunurken, mevcut gerçek zamanlı durum hakkında yakalanan verilerin bir çerçevesi, verilerin mikroişlemci tarafından okunduğu yerden arabelleklerde saklanır. Bir veri çerçevesinin varlığı, mikroişlemci tarafından bir sonraki okuma döngüsü sırasında zamanın değişmezliğini garanti eder. Benzer şekilde, bir yazma döngüsü sırasında, arabellekler mikroişlemciden gelen verileri tutar ve gelen verileri eşzamanlı olarak saat sayaçlarına aktarmak için gün-tarih-saat bilgisi yazma döngüsünün bitmesini bekler. RTC kayıtları LPSRAM ile eşlenir. Bunun için 8 ila 16 bayt LPSRAM kullanılır. Gün, tarih ve saat, sıradan RAM adresleri olarak okunur ve yazılır. ZEROPOWER ® NVRAM içeren TIMEKEEPER ® NVRAM yongaları, ek harici devrelerin olmaması da dahil olmak üzere tüm ana özelliklerini korur. 256 kbps'ye kadar bellek yoğunluklarıyla, gerçek zamanlı saat ve NVRAM süpervizörü, LPSRAM ile aynı çip üzerinde entegre edilmiştir. Daha yüksek bellek yoğunlukları için ayrı bir LPSRAM yongası kullanılır. Yürütme teknolojisine bağlı olarak, çipi oluşturan bileşenler tek bir "hibrit" pakete veya aynı alt tabakaya ayrı bir IC paketinde (TIMEKEEPER ® ambalajının yeni gelişen teknolojisi) yerleştirilebilir. TIMEKEEPER ® NVRAM yongaları gibi, seri gerçek zamanlı saatler (Seri RTC) harici sistem gücünün yokluğunda bile mevcut gerçek zamanı izleyin. Standart SRAM asenkron paralel arabirim yerine seri RTC'ler bir seri veri yolu kullanır. ST cihazları, endüstri standardı seri arabirimin iki versiyonunda mevcuttur: I ? C ve SPI. Bu yongalar, NVRAM sayısını birkaç bayta indirerek ve arayüzü yukarıda listelenen standartlardan birine değiştirerek TIMEKEEPER ® NVRAM'a dayalı olarak yapılır. Çoğu Cihaz Seri RTC pil anahtarı, yazma koruma devreleri ve güç sıfırlama ve izleme zamanlayıcısı gibi birçok modern mikroişlemci denetim özelliği içerir (Şekil 7). Yedekleme gerektirmeyen veya bir kapasitör kullanarak yalnızca kısa süreli artıklık gerektiren uygulamalar için ST, aşağıdakiler gibi daha basit ve daha ucuz Seri RTC cihazları sağlar: M 41 T 0 и M 41 T 80 .
ST tam özellikli seri gerçek zamanlı saat IC'leri birçok mikroişlemci denetleyici işlevine sahiptir. Örneğin, M 41 T81- bu, I arayüzlü Seri RTC2C 400 kHz, Alarm, programlanabilir Watchdog, programlanabilir kare dalga osilatör, SO 8 veya SOX28 SOIC paketinde (dahili kuvars ile). Yonga M 41 T 94 SPI arayüzüne sahip ilk Seri RTC ST cihazıdır. Entegre P O R / LVD devreleri, programlanabilir Watchdog, Alarm, reset butonu bağlanabilme özelliğine sahiptir. Çip, SO 16 ve SOH 28 SNAPHAT ® paketlerinde mevcuttur. Çip Seri RTC M 41 ST 84 I arayüzü ile2C 400 kHz, mikroişlemci süpervizörünün gelişmiş yetenekleri ile ayırt edilir. P O R / LVD, programlanabilir Watchdog ve Alarm işlevlerine ek olarak, Güç Arızası Erken Uyarı (PFI / PFO) işlevi ve giriş sıfırlama sağlar. SO 16 kasada üretilmiştir. Modern ST NVRAM yongaları öyle bir entegrasyon düzeyine ulaştı ki bazıları (M41ST85, M41ST87 и M41ST95) hem Seri RTC hem de TIMEKEEPER® süpervizörleri olarak sınıflandırılabilir. Elde edilen entegrasyon seviyesi, kuvarsın doğrudan kristalin yanındaki monolitik bir mikro devre paketine yerleştirilmesini ve onu üst pile çıkarmamasını mümkün kılıyor. Güvenilirliği ve güvenliği artıran böyle bir çözüme bir örnek, bir mikro devredir. М41ST85МХ6 . ST, yüksek düzeyde entegre SERIAL RTC yongaları ile birlikte, gerçek zamanlı sisteme sürekli çıktı için gerekli minimumları içeren cihazlar üretir. Mikroçipler böyle cihazlardır. M 41 T 0 и M 41 80. Tam bir zaman sayacı seti içerirler ve artık yılların özelliklerini dikkate alırlar. Bu cihazların ek özellikleri arasında kesme işlemeli programlanabilir bir alarm, programlanabilir bir kare dalga çıkışı ve diğer IC'lerdeki saat üreteçleri için referans girişi olarak kullanılabilen ayrı bir 32kHz çıkış yer alır. Bu yeteneklere sahip olan bu çipler, tüketici pazarının büyük bir bölümündeki uygulamaların ihtiyaçlarını karşılamaktadır. M41T0 ve M41T80 IC'ler, endüstri standardı I seri arabirimine sahiptir.2C 400 kHz ve -40 o C ile +85 o C endüstriyel sıcaklık aralığında çalışır. Sıva üstü paketlerde üretilen her iki cihaz da 2 V ile 5,5 V arası güç kaynağı ile düşük akım tüketimi ile çalışır. Örneğin, M41T0 bekleme modunda yalnızca 900 nA ve aktif modda (tipik bir 35 V besleme ile) 3,0 µA çeker. M41T80, bekleme modunda (tipik bir 1,5V besleme ile) 3,0µA ve aktif modda (maksimum 30V besleme voltajı ile) yalnızca 3,0µA çeker. Temel zamanlama görevine ek olarak, M41T0, besleme voltajındaki azalma nedeniyle saat kaymasını algılamak için bir osilatör durdurma biti seçeneğine sahiptir. M41T80'e gelince, zamanlama özellikleri, tekrarlama modlarına sahip programlanabilir bir alarm kesintisi, özel bir 32kHz çıkış ve programlanabilir 1Hz ila 32kHz kare dalga çıkışı ile geliştirilmiştir. Ayrılmış 32kHz frekans çıkışı, referans olarak 32kHz gerektiren faz kilitlemeli bir saat devresine sahip mikroişlemcileri ve mikrodenetleyicileri çalıştırmak için kullanılabilir. Ek olarak, düşük güç modlarında çalıştıklarında mikro devrelerin saat senkronizasyonu için aynı pin kullanılabilir. 32 kHz çıkış, sürekli çalışma için tasarlanmıştır, ancak kullanıcı yazılımı tarafından devre dışı bırakılabilir. M41T80 çipinin alarm işlevi, yılda bir ila saniyede bir alarm tekrarlama moduna sahiptir. Kare dalga programlama işlevi, frekansını 1 çarpanı ile 32 Hz'den 2 kHz'e programlamanıza olanak tanır.
M41T80 yongası, I veriyoluna kolayca bağlanır2C 400 kHz hemen hemen tüm mikroişlemciler ve mikrodenetleyicilerle (Şekil 8) ve harici bir diyot ve kapasitör ekleyerek, anlık bir elektrik kesintisi sırasında mikrodenetleyiciyi her zaman destekleyebilir. Lastikten beri ben2C açık tahliye ile çalışır, bu durumda mikroişlemci ile M41T80 arasındaki voltaj eşleşmesinde sorun olmaz ve voltaj ayrıştırma için tek diyot kullanılması yeterlidir. 1 F kapasitör ve 3,3 V Vcc besleme gerilimi kullanıldığında, beklenen yedekleme süresi yaklaşık 10 gündür. M41T80 IC'ler, küçük boyutlu bir SO8 paketinde mevcuttur. TSSOP8 paketinde de mevcuttur. SERIAL RTC ST serisi çiplerden en basit cihaz bir çiptir. M 41 T0, M41T00, M41T0 temelinde geliştirildi. Bu cihazda pil anahtarı ve yazılım saati kalibrasyonu yoktur, ancak jeneratör arızası algılama işlevi ve I arayüzü vardır.2400 kHz'den C. yonga M41T0 1 V'ta harici 3,3 F kapasitör kullanıldığında, iki haftaya kadar yedek güç sağlayabilir. ST NVRAM yongaları için üst pil ayrı olarak sağlanır ve bu devreler sipariş edilirken bu dikkate alınmalıdır. NVRAM bellek yongaları da başka şirketler tarafından üretiliyor, ancak birçoğu ST bileşenlerinde bulunan özelliklere sahip değil. STMicroelectronics NVRAM yongaları, öncelikle daha yüksek entegrasyon, yerleşik bir pil anahtarının varlığı ve yazılımın kullanıldığı yazılım saat kalibrasyonu olasılığı (ST web sitesinde mevcuttur) ile ayırt edilir. Yayın: cxem.net
Bahçelerdeki çiçekleri inceltmek için makine
02.05.2024 Gelişmiş Kızılötesi Mikroskop
02.05.2024 Böcekler için hava tuzağı
01.05.2024
▪ Bağışıklık mevsime göre çalışır ▪ Koronavirüse karşı drone'lar
▪ site bölümü Dijital teknoloji. Makale seçimi ▪ makale Organizasyon Teorisi. Beşik ▪ makale Nasıl uykuya dalarız? ayrıntılı cevap ▪ makale Yazar Programları Daire Başkanı. İş tanımı ▪ makale Sıvı ahşap tutkalı. Basit tarifler ve ipuçları ▪ makale Bilmediğiniz zincir. fiziksel deney
Ana sayfa | Kütüphane | Makaleler | Site haritası | Site incelemeleri
www.diagram.com.ua |
Diğer makalelere bakın bölüm 
En son bilim ve teknoloji haberleri, yeni elektronikler:
Bu sayfanın tüm dilleri