Lityum akümülatörlerin korunması için mikro devreler. Referans verisi

Ücretsiz teknik kütüphane

RADYO ELEKTRONİK VE ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANSİKLOPEDİSİ
Ücretsiz kütüphane / Radyo-elektronik ve elektrikli cihazların şemaları

Lityum akümülatörlerin korunması için mikro devreler. Referans verisi

Ücretsiz teknik kütüphane

Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi / Referans malzemeleri

makale yorumları

Cep telefonlarına ve diğer taşınabilir elektronik cihazlara güç sağlamak için kullanılan modern lityum piller ve şarj edilebilir piller, yüksek ağırlık ve boyut göstergelerine ve yüksek enerji yoğunluğuna sahiptir, ancak aynı zamanda şarj ve deşarj modlarındaki bozulmalara karşı çok hassastırlar. Genellikle kasıtsız olan bu tür ihlallerin sonuçları, önemli bir enerji tüketimi kaybından pilin tamamen arızalanmasına kadar oldukça ciddi olabilir. Lityum pillerin ve pillerin göreli maliyeti hala yüksektir.

Bu, pillerin doğru çalışmasını izleyen ve izin verilen maksimum modun ötesine geçmesine izin vermeyen oldukça karmaşık bir elektronik cihazı pillere yerleştirmeye zorlar. Aşağıda, ON Semiconductor tarafından üretilen ve tam olarak bu işlevleri yerine getirmek üzere tasarlanmış yongalar açıklanmaktadır. NCP802 serisinden biri, tek bir lityum pili koruyacak ve MC33351A, bu tür üç pilden oluşan bir pilin güvenilir şekilde çalışmasını sağlayacaktır. Özelliklerine aşina olmak, yalnızca pillerin düzgün çalışmasına değil, aynı zamanda genellikle yalnızca yerleşik koruma sisteminin çalışmasıyla ilişkili beklenmedik bir "arıza" sonrasında performansın geri kazanılmasına da yardımcı olacaktır.

NCP802 serisinin mikro devreleri

Çeşitli tasarım modifikasyonlarında üretilirler: NCP802SN1T1 - küçük boyutlu bir SOT-23-6 plastik pakette (Şekil 1) ve NCP802SAN1T1 ve NCP802SAN5T1 - daha da küçük bir SON-6 plastik pakette (Şekil 2).

(büyütmek için tıklayın)

Tanıma G indeksi eklenirse, mikro devre çevre dostudur (kurşun içermez). NCP802 mikro devre kasasına yalnızca koşullu işaretleme uygulanır - KN harfleri ve üretim tarihi kodu. Tüm dizinlerle birlikte tam ad yalnızca ekteki belgelerde belirtilmiştir. Mikro devrelerin pin yapısı Tablo'da sunulmuştur. 1.

(büyütmek için tıklayın)

Cihazı korumalı bir lityum iyon pile bağlamak için tipik bir şema, Şek. 3.

Lityum pilleri korumak için IC'ler

R2C1 devresi, DA1 mikro devresi için bir güç filtresidir. Direnç R2'nin direnci, 1 kOhm'dan fazla olmamalıdır, çünkü üzerindeki voltaj düşüşü, koruma düğümünün çalışması için eşikleri kabul edilemez bir şekilde artırabilir. R1 ve R2 dirençleri, G1 pili yanlışlıkla çok fazla voltaj üreten bir şarj cihazına veya yanlış polariteye bağlanırsa çip üzerinden akımı sınırlar. Bu durumlarda mikro devre için izin verilen güç dağılımını aşmamak için bu dirençlerin toplam direncinin en az 1 kOhm olması gerekir. Ancak R1 direncinin direnci 30 kOhm'dan fazla ise, şarj cihazına izin verilen seviyenin altına kadar boşalmış bir pil bağlandığında mikro devre şarj moduna girmeyebilir.

Alan etkili transistörler VT1 ve VT2, G1 pilinin şarj/deşarj devresinde seri olarak bağlanmıştır. Çalışır durumda her ikisi de açıktır ve kanallarının toplam direnci bu devrede akan akımın sensörü görevini görür. Gerekirse, şemada gösterilmeyen ek bir direnç transistörlerin boşaltma terminalleri arasına seri bağlanarak akım koruma eşikleri düşürülebilir.

Transistör VT1 kapalıysa, G1 pilini harici bir yüke boşaltmak mümkün değildir. Bununla birlikte, şarj akımı, bu akım için ileri yönde bağlanan transistörün içine yerleştirilmiş koruyucu diyottan serbestçe akabilir. Benzer şekilde, kapalı transistör VT2, şarjı yasaklayarak G1 pilinin boşalmasını mümkün kılar. Her iki transistör de kapatıldığında, pilin harici devrelerle bağlantısı tamamen kesilir.

Aşırı şarj koruması

Mikro devrenin Vcell çıkışındaki voltaj artarsa, o zaman belirli bir eşik değeri U1'in aşıldığı anda, CO çıkışında voltaja eşit düşük bir voltaj seviyesi ayarlayarak transistör VT2'yi kapatmak için bir komut gönderir. P- çıkışı, transistör VT1'nin kaynağına bağlı direnç R2 aracılığıyla.

Vcell pinine uygulanan voltaj eşikten biraz daha düşük bir değere düştükten sonra IC, CO pininde yüksek seviyeye dönecektir. CO çıkışında düşük voltaj seviyesine sahip durumdan çıkış, yük aküye bağlandıktan sonra da meydana gelir, eğer voltajın voltajı transistör VT2'nin dahili diyotu üzerindeki akımından kaynaklanır - P-'ye uygulanır. çıktı - Uz eşik düzeyine ulaşır (aşağıda tartışılmaktadır) veya onu aşar .

Mikro devrenin koruma durumuna geçiş veya orijinal durumuna geri dönme koşulları, bu geçiş gerçekleşmeden önce uzun süre korunmalıdır - bir zaman gecikmesi sağlanır.

Aşırı deşarj koruması

Vcell pinindeki voltaj azalarak ayarlanan U2 eşiğini geçtiğinde, DO pininde düşük bir voltaj seviyesi görünecektir, bu da transistör VT1'in kapanmasına ve G1 pilinin daha fazla boşalmasının durmasına yol açacaktır. Şarj etme yeteneği kalır. Vcell pinindeki voltaj U2 eşiğini aştıktan sonra DO pini tekrar yükseğe çıkacaktır.

Pilin boşalmasını engelleme durumunda, mikro devre tarafından çekilen akım, dahili düğümlerinin çoğu pasif bir duruma geçtiği için keskin bir şekilde düşer. Pili şarj cihazına bağlamanın neden olduğu P-pinindeki küçük bir voltaj artışı, mikro devreyi tekrar etkinleştirir

Mikro devrenin çeşitli pinlerindeki voltajın ve G1 pil devresindeki akımın zamanlama diyagramları, Şek. 4 ve 5. Bunlardan ilki, akü koruma ünitesinin aşırı şarja ve izin verilen şarj akımını aşmasına ve ikincisi aşırı deşarja ve izin verilen deşarj akımını aşmaya karşı çalışmasını göstermektedir.

(büyütmek için tıklayın)

Akü terminallerinin aşırı deşarj akımına ve kısa devresine karşı koruma

Bu düğüm, her iki transistör açıkken çalışır - VT1 ve VT2. Aralarındaki voltaj düşüşü U3 veya U5 eşik değerlerinden herhangi birini aşar aşmaz, DO pini düşecek ve transistör VT1'i kapatacaktır. Deşarj akımı aşıldığında kapanmasındaki gecikme yaklaşık 12 ms, akü kutup başları kapatıldığında ise 0,4 ms'dir. Bu, aşırı deşarj koruma düzeneğinin gecikmesinden çok daha azdır.

Sonuç olarak, akım koruma ünitesi önce çalışır ve mikro devrenin pili şarj cihazına bağlamanın gerekli olduğu çıkış için pasif moda geçmesini engeller. Kısa devre veya deşarj akımı aşırı yükünü ortadan kaldırdıktan sonra orijinal durumuna geri dönmek için, mikro devre içindeki direnç Rs üzerindeki voltaj düşüşünün eşikten daha az olması yeterlidir. Bu direnç, mevcut koruma düğümü tetiklendiğinde ve diğer tüm durumlarda onlardan bağlantısı kesildiğinde Gnd (Ortak) ve P-terminalleri arasına bağlanır.

İzin verilen şarj akımının aşılmasına karşı koruma

Şarj akımı izin verilenden daha yüksek olduğunda (örneğin, pil “yabancı” veya arızalı bir şarj cihazına bağlıysa), P-pinindeki negatif voltaj U4 eşiğinin altındadır. Bu durum belli bir süre değişmediyse CO çıkışı düşük seviyeye ayarlanacak ve bu da alan etkili transistör VT2'nin kapanmasına neden olacak ve şarj duracaktır. Orijinal durumuna geri dönmek için akünün şarj cihazından çıkarılması ve bir süre yüke bağlanması gerekir.

Zaman Gecikmesi Yönetimi

Yukarıda belirtildiği gibi, mikro devrenin durumunu değiştirmek için, mikro devrenin dahili düğümleri tarafından belirtilen zaman aralıklarında belirli koşulların yürürlükte olması gerekir. Gerekirse, gecikme devre dışı bırakılabilir, bundan sonra mikro devre, karşılık gelen koşulun ortaya çıkmasından hemen sonra geçiş yapar (düğümlerin çalışma süresi ve çalışma moduna dönüş düzenlenmez). Bunun için DS çıkışını Vcell çıkışına bağlamanız yeterlidir. DS pininin normal durumu bağlı değil. Mikro devredeki Gnd pimi ile kendisi arasında dahili bir direnç sağlanır.

Ağır şekilde boşalmış bir pili şarj etme

Mikro devrenin Vcell ve Gnd terminalleri arasındaki voltaj en az 1,5 V ise, çıkışı CO yüksektir, transistör VT2 açıktır. Bu, neredeyse tamamen boşalmış bir pili şarj etmeye başlamanızı sağlar.

Ana teknik özellikler

Besleme gerilimi, V ...... 1,5 ... 4,5
Şarj etmeye başlayabileceğiniz minimum akü voltajı, V ...... 1,5
Aktif modda tüketilen en yüksek akım, μA, 3,9 V besleme voltajında ve P-pininde sıfır voltajda ...... 6
tipik değer......3
Pasif modda tüketilen en yüksek akım, μA, 2 V besleme geriliminde ...... 0,1
4,5 V besleme voltajında ve 50 μA çıkış akımı darbesinde CO, V şarj transistörü kontrolünün çıkışındaki düşük seviye voltajının en yüksek değeri ...... 0,5
tipik değer......0,4
CO çıkışındaki yüksek seviye voltajın en küçük değeri, 3,9 V besleme voltajı ve -50 μA çıkış akımı darbesi ile şarj transistörünü kontrol eden V, ...... 3,4
tipik değer......3,7
Deşarj transistörü kontrolünün DO çıkışındaki düşük seviye voltajının en yüksek değeri, V, 2 V besleme voltajında ve 50 μA çıkış akımı darbesinde ...... 0,5
tipik değer......0,2
Deşarj transistörü kontrolünün DO çıkışındaki yüksek seviye voltajının en küçük değeri, V, 3,9 V besleme voltajında ve -50 μA çıkış akımı darbesinde......3,4
tipik değer......3,7

Aşırı Yük Koruma Tertibatı

Vcell ve Gnd terminalleri arasındaki çalışma eşik gerilimi, R2 direncinde V (Şekil 3) 330 Ohm ve NCP5SN55T802, NCP1SAN1T802 için -1...+1 °С aralığında ortam sıcaklığı .....4,32.. .4,38
tipik değer......4,35
NCP802SAN5T1 . . .4,245...4,305
tipik değer .....4,275
Direnç R2 330 Ohm ve ortam sıcaklığı +25 °C olan U,, V eşik tepki gerilimi
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....4,325...4,375
tipik değer......4,35
NCP802SAN5T1......4,25...4,3
tipik değer .....4,275
NCP31SN3,6T4,4, NCP802SAN1T1 ...802...1 için besleme geriliminin (Vcell piminde) 1'dan 0,175 V'a yükseltilmesiyle yanıt gecikmesi t0,325, s
tipik değer......0,25
NCP802SAN5T1......0,7...1,3
tipik değer......1
1 V besleme gerilimi ve akım sensörü R4 boyunca sıfırdan 1 V'a gerilim düşüşünde artış ile çalışma moduna dönüş gecikmesi tB1, ms......11...21
tipik değer......16
Aşırı şarj koruma ünitesi
Eşik çalışma gerilimi U2 (Vcell ve Gnd terminalleri arasında), V, için
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....2,34...2,46
tipik değer......2,4
NCP802SAN5T1 .....2,24...2,36
tipik değer......2,3
Besleme gerilimi 32'dan 3,6 V'a düştüğünde çalışma gecikmesi t2,2, ms......14...26
tipik değer......20
2 V'luk bir besleme geriliminde ve akım sensörü boyunca 3 V'tan sıfıra düşen gerilim düşüşünde tB3 çalışma moduna geri dönüş gecikmesi, ms ..... 0,7 ... 1,7
tipik değer......1,2
Deşarj aşırı akım koruma ünitesi
Akım sensöründeki U3 eşik gerilimi, V, için
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....0,18...0,22
tipik değer......0,2
NCP802SAN5T1 .....0,08...0,12
tipik değer......0,1
Tepki gecikmesi t33, ms, NCP3SN1T802, NCP1SAN1T802......1...1 için 8 V'luk bir besleme geriliminde ve akım sensöründeki gerilim düşüşünde sıfırdan 16 V'a artış
tipik değer......12
NCP802SAN5T1......4..8
tipik değer......6
3 V'luk bir besleme geriliminde ve akım sensörü boyunca 3 V'tan sıfıra düşen gerilim düşüşünde tB3 çalışma moduna geri dönüş gecikmesi, ms ..... 0,7 ... 1,7
tipik değer......1,2
Şarj Aşırı Akım Koruma Ünitesi
Akım sensöründeki U4 eşik gerilimi, V, üzerindeki gerilim düşüşünde azalma ..... -0,13 ... -0,07
tipik değer ...... -0,1
Tepki gecikmesi t34, ms, 3 V besleme geriliminde ve NCP1SN802T1, NCP1SAN802T1......1...11 için akım sensöründeki gerilim düşüşünde sıfırdan -21 V'a azalma
tipik değer......16
NCP802SAN5T1......5... 11
tipik değer......8
4 V'luk bir besleme geriliminde ve akım sensöründeki gerilim düşüşünde -3 V'tan sıfıra bir artışta tB1 çalışma moduna dönüş gecikmesi, ms ...... 0,7 ... 1,7
tipik değer......1,2

Harici sonuçların kısa devresine karşı koruma düğümü

5 V'luk bir besleme geriliminde akım sensörü V'deki eşik gerilimi U3. . .Upit - (1,4...1,8)
tipik değer ..... Upit - 1,1
Tepki gecikmesi t35, ms, 3 V besleme geriliminde ve akım sensörü boyunca sıfırdan 3 V'a voltaj düşüşünde artış. .0,25...0,6 tipik değer......0,4
3,6 V'luk bir besleme voltajında ve akım sensöründe 1 V'luk bir voltaj düşüşünde akım koruma ünitesinin kOhm açmasından sonra P- ve Gnd terminalleri arasındaki direnç ...... 15. ..45
tipik değer......30
Gecikme kontrol düğümü
Gecikmeleri kesen DS girişindeki voltaj, V......Upp+(-0,5...+0,3)
Bağlı olmayan DS girişindeki voltaj, V, 3,6 ... 4,4 V besleme geriliminde ...... 1,05 ... (Upi -1,1)
DS ve Gnd terminalleri arasındaki dahili direncin direnci, MΩ......0,5...2,5
tipik değer......1,3
Sınır değerler
Voltaj, V, Vcell ve Gnd pinleri arasında (besleme gerilimi), ayrıca DS ve Gnd, DO ve Gnd pinleri arasında......-0,3...+12
Voltaj, V, P- ve Gnd terminalleri arasında ve ayrıca CO ve P-...... arasında Upit+(-28...+0,3)
Maksimum güç kaybı, mW......150
Kristal sıcaklığının çalışma aralığı, °С......-40...+85
Depolama sıcaklığı, °С .. .-55...+125

Aksi belirtilmedikçe, DS pini bağlı değilken.

Yukarıdakilere ek olarak, aynı şirket, NCP33349SN802T1'den esas olarak yalnızca üç parametrenin değerlerinde farklılık gösteren bir dizi MC1N mikro devre üretir:

Tepki eşik gerilimi U1, V (tipik değer), 2 Ohm dirençli R330 ve ortam sıcaklığı +25 °С, MC33349N-3R1, MC33349N-4R1 için......4,25
MC33349N-7R1......4,35
Eşik çalışma gerilimi U2, V (tipik değer) ...... 2,5
Akım sensöründeki U3 eşik gerilimi, V (tipik değer), için
MC33349N-3R1, MC33349N-7R1......0,2
MC33349N-4R1......0,075

Bu mikro devrelerin durumunda, KN yerine alfanümerik bir atama uygulanır: A1 - MC33349N-3R1, A2 - MC33349N-4R1 ve AO - MC33349N-7R1 için.

Üretici, kapasitör C2'nin kapasitesini belirtmez.

Diğer makalelere bakın bölüm Referans malzemeleri.

Oku ve yaz yararlı bu makaleye yapılan yorumlar.

<< Geri

En son bilim ve teknoloji haberleri, yeni elektronikler:

Bahçelerdeki çiçekleri inceltmek için makine 02.05.2024

Modern tarımda, bitki bakım süreçlerinin verimliliğini artırmaya yönelik teknolojik ilerleme gelişmektedir. Hasat aşamasını optimize etmek için tasarlanan yenilikçi Florix çiçek seyreltme makinesi İtalya'da tanıtıldı. Bu alet, bahçenin ihtiyaçlarına göre kolayca uyarlanabilmesini sağlayan hareketli kollarla donatılmıştır. Operatör, ince tellerin hızını, traktör kabininden joystick yardımıyla kontrol ederek ayarlayabilmektedir. Bu yaklaşım, çiçek seyreltme işleminin verimliliğini önemli ölçüde artırarak, bahçenin özel koşullarına ve içinde yetişen meyvelerin çeşitliliğine ve türüne göre bireysel ayarlama olanağı sağlar. Florix makinesini çeşitli meyve türleri üzerinde iki yıl boyunca test ettikten sonra sonuçlar çok cesaret vericiydi. Birkaç yıldır Florix makinesini kullanan Filiberto Montanari gibi çiftçiler, çiçeklerin inceltilmesi için gereken zaman ve emekte önemli bir azalma olduğunu bildirdi. ... >>

Gelişmiş Kızılötesi Mikroskop 02.05.2024

Mikroskoplar bilimsel araştırmalarda önemli bir rol oynar ve bilim adamlarının gözle görülmeyen yapıları ve süreçleri derinlemesine incelemesine olanak tanır. Bununla birlikte, çeşitli mikroskopi yöntemlerinin kendi sınırlamaları vardır ve bunların arasında kızılötesi aralığı kullanırken çözünürlüğün sınırlandırılması da vardır. Ancak Tokyo Üniversitesi'ndeki Japon araştırmacıların son başarıları, mikro dünyayı incelemek için yeni ufuklar açıyor. Tokyo Üniversitesi'nden bilim adamları, kızılötesi mikroskopinin yeteneklerinde devrim yaratacak yeni bir mikroskobu tanıttı. Bu gelişmiş cihaz, canlı bakterilerin iç yapılarını nanometre ölçeğinde inanılmaz netlikte görmenizi sağlar. Tipik olarak orta kızılötesi mikroskoplar düşük çözünürlük nedeniyle sınırlıdır, ancak Japon araştırmacıların en son geliştirmeleri bu sınırlamaların üstesinden gelmektedir. Bilim insanlarına göre geliştirilen mikroskop, geleneksel mikroskopların çözünürlüğünden 120 kat daha yüksek olan 30 nanometreye kadar çözünürlükte görüntüler oluşturmaya olanak sağlıyor. ... >>

Böcekler için hava tuzağı 01.05.2024

Tarım ekonominin kilit sektörlerinden biridir ve haşere kontrolü bu sürecin ayrılmaz bir parçasıdır. Hindistan Tarımsal Araştırma Konseyi-Merkezi Patates Araştırma Enstitüsü'nden (ICAR-CPRI) Shimla'dan bir bilim insanı ekibi, bu soruna yenilikçi bir çözüm buldu: rüzgarla çalışan bir böcek hava tuzağı. Bu cihaz, gerçek zamanlı böcek popülasyonu verileri sağlayarak geleneksel haşere kontrol yöntemlerinin eksikliklerini giderir. Tuzak tamamen rüzgar enerjisiyle çalışıyor, bu da onu güç gerektirmeyen çevre dostu bir çözüm haline getiriyor. Eşsiz tasarımı, hem zararlı hem de faydalı böceklerin izlenmesine olanak tanıyarak herhangi bir tarım alanındaki popülasyona ilişkin eksiksiz bir genel bakış sağlar. Kapil, "Hedef zararlıları doğru zamanda değerlendirerek hem zararlıları hem de hastalıkları kontrol altına almak için gerekli önlemleri alabiliyoruz" diyor ... >>

Arşivden rastgele haberler

30V HEXFET MOSFET'ler 21.08.2006

International Rectifier, DC/DCPOL (Yük Noktası) senkron darbeli anahtarlama regülatörlerinde kullanım için IRF30PbF ve IRF7835PbF ikili 7836V HEXFET MOII transistörlerini tanıttı.

Transistörler SO-8 paketinde mevcuttur. lRF7835PbF, iki fazlı bir anahtarlama regülatöründen 35A akım gerektiren mobil işlemciler için tasarlanmıştır. Bu durumda her fazda bir kontrol ve iki senkron MOS transistör kullanılır.

Eleman, MOSFET başına 11 A'ya kadar olan uygulamalarda kullanılabilir. lRF7836PbF, bir sürücü ve yalnızca bir senkron MOSFET kullanan güç rayları için tasarlanmıştır. MOSFET başına 9A'e kadar olan uygulamalarda kullanılabilirler.

Şirketin uzmanlarına göre, yeni yonga seti, taşınabilir elektronik güç kaynaklarında kullanım ve Intel Centrino işlemci çekirdeğine güç sağlamak için en iyi yonga seti. Öğeler RoHS ile uyumludur.

Diğer ilginç haberler:

▪ Netbook UbiSurfer

▪ Yakındaki Paylaşım veri hizmeti

▪ Bebeğin hücreleri annenin beyninde kalır

▪ Depresyon kemoterapinin etkinliğini azaltır

▪ Akıllı telefonlar geleneksel cep telefonlarından daha fazla satıyor

Bilim ve teknolojinin haber akışı, yeni elektronik

Ücretsiz Teknik Kitaplığın ilginç malzemeleri:

▪ sitenin bölümü Çocuklar ve yetişkinler için büyük ansiklopedi. Makale seçimi

▪ makale Düzenlemede ritimle nasıl çalışılır. video sanatı

▪ Hangi omurgalıların kanı renksizdir? ayrıntılı cevap

▪ makale Astronomik alet Gözlemcisi. Çocuk Bilim Laboratuvarı

▪ makale Ultrasonik fare kovucu jeneratör. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

▪ makale Düşük gerilim besleme RTO'su için LED göstergesi. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

Bu makaleye yorumunuzu bırakın:

Bu sayfanın tüm dilleri

Ana sayfa | Kütüphane | Makaleler | Site haritası | Site incelemeleri