RADYO ELEKTRONİK VE ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANSİKLOPEDİSİ
Электронные пускорегулирующие аппараты. Миниатюрные электронные балласты на микросхеме IR53HD420. Энциклопедия радиоэлектроники и электротехники Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi / Floresan lambalar için balastlar Uyarı! Конструкция гальванически связана с электрической сетью. Потенциально опасна для жизни из-за возможного поражения электрическим током. Поэтому при изготовлении, проверке, налаживании и эксплуатации следует помнить о строгом соблюдении мер электробезопасности. Конструкция должна быть выполнена так, чтобы исключить случайное касание оголенных выводов проводников или деталей. Проверяя работу конструкции, не следует касаться руками никаких ее деталей или цепей, а заменяемые детали перепаивать только при вынутой из розетки сетевой вилке. Consider миниатюрный электронный балласт, выполненный на гибридной микросхеме IR53HD420 (IR51HD420), в которую встроены силовые транзисторы и диод вольтодобавки. Сверхминиатюрные электронные балласты, выполненные на гибридной микросхеме IR51HD420, рассчитаны на совместную работу с одиночными лампами, имеющими ток до 0,3 А, и широко используются с компактными люминесцентными лампами. Структурная схема IR53HD420/IR51HD420 представлена на рис. 3.20. Семейство IR53Hxxx/IR51Hxxx с интегрированными силовыми транзисторами включает в себя несколько микросхем с различными параметрами, основные характеристики которых приведены в табл. 3.4.
Таблица 3.4. Характеристики микросхем Примечание к табл. 3.4. HD - с интегрированным вольтодобавочным диодом; Н - без диода. Основные параметры IR51HD420 аналогичны IR2151, IR2153. Интегрированные в IR51HD420 два n-канальных транзистора HEXFET (IRFC420) имеют aşağıdaki parametreler:
Принципиальная электрическая схема миниатюрного электронного балласта изображена на рис. 3.21.
Çalışma prensibi аналогичен электронному балласту на IR2153, который мы уже рассмотрели выше. Дроссель сетевого фильтра L1 намотан на ферритовом кольце К20х12х6 М2000НМ двухжильным сетевым проводом (или сложенным вдвое МГТФ) до полного заполнения окна. Хорошие результаты помехоподавления в сочетании с миниатюрными размерами дают специализированные фильтры EPCOS: В84110-В-А14, В84110-А-А5, В84110-А-А10, В84110-А-А20. Elektronik balast L2'nin bobini, M2000NM ferritten yapılmış W şeklinde bir manyetik çekirdek üzerinde yapılır. Çekirdek boyutu Ш5х5, boşluklu δ = 0,4 мм под всеми тремя рабочими поверхностями Ш-образного сердечника. Величина зазора в нашем случае - это толщина прокладки между соприкосающимися поверхностями половинок магнитопровода. Для изготовления зазора необходимо проложить прокладки из немагнитного материала (нефольгированный стеклотекстолит или гетинакс) толщиной 0,4 мм между соприкосающимися поверхностями половинок магнитопровода и скрепить эпоксидным клеем. От величины немагнитного зазора зависит величина индуктивности дросселя (при постоянном количестве витков). При уменьшении зазора индуктивность возрастает, при увеличении - уменьшается. Обмотка L2 - 180 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,25 мм. Межслойная изоляция - лакоткань. Намотка - виток к витку. Диодный мост VD1 - импортный RS207, допустимый прямой ток 2 А, обратное напряжение 1000 В. Можно заменить на четыре диода с соответствующими параметрами. Гибридную микросхему IR51HD420 можно заменить на IR53HD420, IR51H420, IR53H420. konsey. При использовании IR51H420, IR53H420 нужно учесть, что у этих микросхем отсутствует встроенный диод вольтодобавки (между выводами 1 и 6), и его следует установить. Используемый при этом диод должен быть класса ultra-fast (сверхбыстрый) с параметрами: обратное напряжение 400 В; допустимый прямой постоянный ток - 1 А; время обратного восстановления - 35 нс. Подойдут 11DF4, BYV26B/C/D, HER156, HER157, HER105-HER108, HER205-HER208, SF18, SF28, SF106-SF109. Диод должен располагаться как можно ближе к микросхеме. R3, С5, Сб - SMD элементы для поверхностного монтажа (С6 на 60 В). Конденсаторы С1, С2, С7 - К73-17. C1, С2 - на 630 В, С7 - на 400 или 630 В; C3 - электролитический (два по 10 мкФ в параллель) импортный на номинальное напряжение не менее 350 В; С4 - электролитический на 25 В; С8 - полипропиленовый К78-2 на 1000 В. EPCOS - S1K14, S275K20'ten varistör RU275, TVR (FNR) 14431, TVR (FNR) 20431 veya ev tipi CH2-1a-430 V ile değiştirin. R1 - проволочный 2,2-4,7 Ом мощностью 1-2 Вт, можно заменить на терморезистор (термистор) с отрицательным температурным коэффициентом (NTC - Negative Temperature Coefficient) - SCK 105 (10 Ом, 5 А) или фирмы EPCOS - B57234-S10-M, B57364-S100-M. RK2 - позистор, такой же как и в электронном балласте на IR2153. Балласт собран на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита и помещен в алюминиевый экранирующий кожух. Печатная плата и расположение элементов показана на рис. 3.22. Рекомендации по настройке аналогичны тем, которые были рассмотрены в разделе, посвященном электронному балласту на IR2153.
Yazar: Koryakin-Chernyak S.L. Diğer makalelere bakın bölüm Floresan lambalar için balastlar. Oku ve yaz yararlı bu makaleye yapılan yorumlar. En son bilim ve teknoloji haberleri, yeni elektronikler: Bahçelerdeki çiçekleri inceltmek için makine
02.05.2024 Gelişmiş Kızılötesi Mikroskop
02.05.2024 Böcekler için hava tuzağı
01.05.2024
Diğer ilginç haberler: ▪ HP, 3D yazıcıların üretimini yayına sokacak ▪ TI'den yeni logaritmik amplifikatör ▪ Flyback dönüştürücüler için yeni kontrolör ▪ Minyatür gaz analizörü Kingmax AirQ Check GS-01 akıllı telefon için Bilim ve teknolojinin haber akışı, yeni elektronik
Ücretsiz Teknik Kitaplığın ilginç malzemeleri: ▪ sitenin bölümü Güç kaynakları. Makale seçimi ▪ makale Düğün videosu çekimi. video sanatı ▪ makale İlk tiyatro ne zaman ortaya çıktı? ayrıntılı cevap ▪ makale Dizelde çalışın. İş güvenliği ile ilgili standart talimat ▪ makale Koaksiyel boş yük. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi
Bu makaleye yorumunuzu bırakın: Bu sayfanın tüm dilleri Ana sayfa | Kütüphane | Makaleler | Site haritası | Site incelemeleri www.diagram.com.ua |