144...146 MHz aralığındaki araç radyo istasyonu 2. Diyagram, açıklama

Ücretsiz teknik kütüphane

RADYO ELEKTRONİK VE ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANSİKLOPEDİSİ
Ücretsiz kütüphane / Radyo-elektronik ve elektrikli cihazların şemaları

144...146 MHz aralığındaki araç radyo istasyonu. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

Ücretsiz teknik kütüphane

Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi / Sivil radyo iletişimi

makale yorumları

Radyo istasyonu bir arabaya kurulum için tasarlanmıştır ve 144-146 MHz amatör bantta frekans modülasyonuyla çalışır. Radyo istasyonunun frekans ağı, bu aralıktaki uluslararası bölümüyle örtüşmektedir. Radyo frekansının kararlılığı bir frekans sentezleyici tarafından sağlanır. Test edildiğinde çok iyi sonuçlar verdi. Böylece, otoyol boyunca 40 km'den fazla mesafedeki iki araba arasında ve büyük bir şehirde - 15-20 km - iletişim istikrarlıydı. Radyo istasyonunun üretimi ve çalıştırılması kolaydır, boyutları küçüktür ve az sayıda bileşen içermez. Radyo istasyonunun parametreleri aşağıdaki gibidir: - sentezleyici tarafından sağlanan kanal sayısı 160'tır; - frekans ızgarası adımı - 12,5 kHz; - sapmalı frekans modülasyonu - 3 kHz; - radyo alıcısının hassasiyeti - 0,1 µV; - yan alım kanalları için seçicilik - 60 dB; - verici gücü - 5 W; - besleme voltajı - 12V; - boyutlar - 200x200x50 mm; - 5/8 dalga boyu uzunluğunda kırbaç anteni; - bir gürültü bastırıcı, bir zil cihazı ve bileşenlerin servis verilebilirliğine dair bir gösterge vardır; - aynı türden iki radyo istasyonu arasında dijital bilgi aktarımı mümkündür.

Radyo alıcısı, çift frekans dönüşümüne sahip bir süperheterodin devresi kullanılarak yapılmıştır. İlk ara frekans 10,7 MHz, ikincisi ise 465 kHz'dir. Alıcının şematik diyagramı Şekil 1'de gösterilmektedir. XNUMX.

Şekil 1a (büyütmek için tıklayın)

Şekil 1b (büyütmek için tıklayın)

Antenden gelen sinyal, verici kartı üzerinde bulunan anten rölesi aracılığıyla alıcı kartının 1 numaralı pinine beslenir. Kartın bu girişten giriş empedansı 50 Ohm'dur. LI, C1 elemanları üzerinde yapılan giriş devresi 145 MHz aralığının ortasına ayarlanmıştır. Yüksek frekanslı amplifikatör, alan etkili transistör VT1 tipi KP350B üzerine kurulmuştur. C2 kapasitörünün terminaline, L2 endüktansı görevi gören bir ferrit boncuk bağlanmıştır. Bu, alıcının dinamik aralığını birkaç desibel genişletmenize olanak tanır. UHF transistörünün ikinci kapısı AGC voltajını alır. Kademeli olarak güçlendirilen sinyal, L3, C9, C10, C11, C12, L4 elemanları üzerine kurulu bir bant geçiren filtreye beslenir. Filtre konturlarının bağlantısı kritik seviyeye yakındır ve bu nedenle filtre mümkün olan en düz üst kısma sahiptir. L4 bobininin musluğundan filtrelenen sinyal, KP2B tipi bir VT350 transistörü üzerinde yapılmış bir karıştırıcıya beslenir. Mikser transistörünün ikinci kapısı, seçilen kanala bağlı olarak 133,3 - 135,3 MHz frekanslarla birinci yerel osilatörün rolünü oynayan bir frekans sentezleyiciden bir sinyal alır. Bobin L5 sentezleyiciyi mikser girişiyle eşleştirir. Mikser yükü bobin L6'dır. Karıştırıcının çıkışından, 10,7 MHz ara frekanstaki bir sinyal, Z1 tipi FP1P1-307-18 kuvars filtresine beslenir. Dirençler R11, R12 ve kapasitörler C18, C19, filtrenin giriş empedansını mikserin çıkışı ve amplifikatörün girişi ile eşleştirmeye yarar. C20 kapasitörü aracılığıyla ara frekansta filtrelenen sinyal, KP3B tipi VT350 amplifikatör transistörünün ilk kapısına beslenir. Bu transistörün ikinci kapısı da AGC voltajıyla beslenir. Amplifikatörün yükü devredir

L8, C26. Bağlantı bobini L9 aracılığıyla, amplifikatörden gelen sinyal, ikinci bir karıştırıcı ve ikinci bir yerel osilatör görevi gören DA1 yongasına beslenir. Yerel osilatör, mikro devrenin bir kısmı ve C28, C29, C30, L10, ZQ1 elemanları üzerine inşa edilmiştir. Kuvars rezonatör ZQ 1 - 11,165 kHz frekansta. Bobin L10, yerel osilatörün voltaj dalga biçimini iyileştirmeye yarar ve 11,165 kHz frekansa ayarlanmıştır.

İkinci karıştırıcının yükü, 11 kHz'e eşit ikinci ara frekansa ayarlanmış L31, C465 devresidir. Bağlantı bobini L12 aracılığıyla, ikinci IF frekansındaki sinyal, Z2 tipi FP1P1-60.03 piezoseramik filtreye beslenir. Dirençler R20, R21 ve L13, C32 devresi, filtrenin giriş ve çıkış dirençlerini sırasıyla mikserin çıkışı ve DA2 yongasının girişi ile eşleştirir. Devre L13, C32, 465 kHz frekansına ayarlanmıştır.

Filtrelemeden sonra sinyal, ikinci bir amplifikatör, frekans dedektörü ve AGC dedektörü olarak görev yapan çok işlevli DA2 tipi K174XA6 çipine gönderilir. L15, C46 frekans dedektörünün referans devresi 465 kHz frekansına ayarlanmıştır. DA2 çipinin dahili giriş sinyali seviye ölçeri AGC devresi olarak kullanılır.

Çıkışı 14'ten gelen çıkış voltajı, KT5I tipi düzenleyici transistör VT315'e sağlanacaktır. Ondan, AGC sinyali ikinci UHF kapılarına (VT1) ve birinci IF amplifikatörüne (VT3) beslenir. Direnç R22, AGC sisteminin kontrol aralığını ayarlamak için kullanılır. AGC sisteminin genel aralığı yaklaşık 100 dB'dir.

Direnç R25 yerine, 300 μA mikroampermetre olarak kullanılabilen bir S-metreyi açabilirsiniz, R23 direnci ise hassasiyetini ayarlamak ve ardından kalibre etmek için kullanılabilir.

Gürültü bastırıcı da DA2 çipinin bir kısmı üzerine inşa edilmiştir. KT4B tipi düzenleyici transistör VT315'e sağlanan giriş sinyali seviyesinin değeri, gürültü bastırıcının çalışma sinyali olarak kullanılır. Baskılı devre kartının 9 numaralı pinine gürültü azaltma sistemini kapatmak için bir sinyal gönderilir.

DA7 yongasının 2 numaralı piminden, düşük frekanslı sinyal, radyonun ön paneline takılı ses seviyesi kontrolüne ve ondan, yüksek frekanslı bileşenlerin bulunduğu 3 kHz kesme frekansına sahip bir alçak geçiş filtresine gider. gürültü önemli ölçüde azalır. Filtre, VT6, VT7 tipi KT315B ve VT8 tipi KT316E transistörleri üzerine kurulmuştur.

Filtrenin çıkışından düşük frekanslı sinyal, rolü K3UN174 tipi bir DA7 mikro devresi tarafından gerçekleştirilen düşük frekanslı bir amplifikatöre beslenir. Mikro devrenin gerekli kazancı R47 direnci ile ayarlanabilir. DA12 çipinin 3 numaralı pininden güçlendirilmiş sinyal, bir C65 kapasitör aracılığıyla bir kulaklığa veya dinamik kafaya beslenir.

Radyo istasyonunun verici kısmının şematik diyagramı Şekil 2'de gösterilmektedir.

Şekil.2 (büyütmek için tıklayın)

Frekans sentezleyiciden gelen frekans modülasyonlu sinyal, verici kartının 1. noktasına beslenir. Devre L1, C3 145 MHz frekansında yapılandırılmıştır. Ayarlanabilir tampon amplifikatörü, KP1B tipi bir alan etkili transistör VT3501 üzerine monte edilmiştir. İkinci kapısı, radyonun ön panelinde bulunan çıkış gücü seviyesi anahtarından kontrol voltajı alacaktır. Bu anahtarı kullanarak çıkış gücünü aniden 0,5 W'a düşürebilirsiniz. Transistör VT1'in yükü, yine 2 MHz frekansına ayarlanmış L8, C145 devresidir. L2 bobininin çıkışından, aşamalar arasında optimum bağlantının kurulduğu C9 kapasitörü üzerinden RF voltajı, KT2A tipi bir VT399 transistörü üzerine inşa edilen ikinci amplifikasyon aşamasına beslenir. Transistörün kolektör devresi, aralığın ortasına ayarlanmış L3, C14, C15 devresini içerir. Sırasıyla KT4A, KT5B ve KT920V tipi VT920, VT925, VT4 transistörleri üzerine bir dizi güç amplifikatörü inşa edildi. VT5 ve VT1 transistörlerindeki kademeler yüksek verimlilik modunda çalışır. Bu transistörlerin çalışma modu, VD4 - VD17 diyotları ve R20 ve R4 dirençleri üzerindeki stabilizatörler tarafından ayarlanır. Tek yan bant sinyalini yükseltmek için bu devreyi kullanırken, VT5, VTXNUMX transistörlerindeki basamaklar aynı dirençler kullanılarak doğrusal amplifikasyon moduna ayarlanabilir.

Transistör VT5'in toplayıcısından, çalışma frekansındaki yükseltilmiş sinyal, L15 C40, C41, C42, L16, C44, C45, L17, C46, C47 elemanları üzerindeki bir bant geçiren filtreye ve ardından anahtarlanan K1 rölesi aracılığıyla beslenir. anten sinyali antene girer.

Verici kısım, aracın 12 V yerleşik aküsünden veya başka bir kaynaktan güç alır.

Yazar: V. Stasenko, Voronej; Yayın: N. Bolshakov, rf.atnn.ru

Diğer makalelere bakın bölüm Sivil radyo iletişimi.

Oku ve yaz yararlı bu makaleye yapılan yorumlar.

<< Geri

En son bilim ve teknoloji haberleri, yeni elektronikler:

Dokunma emülasyonu için suni deri 15.04.2024

Mesafenin giderek yaygınlaştığı modern teknoloji dünyasında, bağlantıyı ve yakınlık duygusunu sürdürmek önemlidir. Saarland Üniversitesi'nden Alman bilim adamlarının suni derideki son gelişmeleri, sanal etkileşimlerde yeni bir dönemi temsil ediyor. Saarland Üniversitesi'nden Alman araştırmacılar, dokunma hissini uzak mesafelere iletebilen ultra ince filmler geliştirdiler. Bu son teknoloji, özellikle sevdiklerinden uzakta kalanlar için sanal iletişim için yeni fırsatlar sunuyor. Araştırmacılar tarafından geliştirilen sadece 50 mikrometre kalınlığındaki ultra ince filmler tekstillere entegre edilebiliyor ve ikinci bir deri gibi giyilebiliyor. Bu filmler anne veya babadan gelen dokunsal sinyalleri tanıyan sensörler ve bu hareketleri bebeğe ileten aktüatörler gibi görev yapar. Ebeveynlerin kumaşa dokunması, basınca tepki veren ve ultra ince filmi deforme eden sensörleri etkinleştirir. Bu ... >>

Petgugu Global kedi kumu 15.04.2024

Evcil hayvanların bakımı, özellikle evinizi temiz tutmak söz konusu olduğunda çoğu zaman zorlayıcı olabilir. Petgugu Global girişiminin, kedi sahiplerinin hayatını kolaylaştıracak ve evlerini mükemmel şekilde temiz ve düzenli tutmalarına yardımcı olacak yeni ve ilginç bir çözümü sunuldu. Startup Petgugu Global, dışkıyı otomatik olarak temizleyerek evinizi temiz ve ferah tutan benzersiz bir kedi tuvaletini tanıttı. Bu yenilikçi cihaz, evcil hayvanınızın tuvalet aktivitesini izleyen ve kullanımdan sonra otomatik olarak temizlemeyi etkinleştiren çeşitli akıllı sensörlerle donatılmıştır. Cihaz, kanalizasyon sistemine bağlanarak, sahibinin müdahalesine gerek kalmadan verimli atık uzaklaştırılmasını sağlar. Ek olarak, tuvaletin büyük bir sifonlu depolama kapasitesi vardır, bu da onu çok kedili evler için ideal kılar. Petgugu kedi kumu kabı, suda çözünebilen kumlarla kullanılmak üzere tasarlanmıştır ve çeşitli ek özellikler sunar. ... >>

Bakımlı erkeklerin çekiciliği 14.04.2024

Kadınların "kötü çocukları" tercih ettiği klişesi uzun zamandır yaygın. Ancak Monash Üniversitesi'nden İngiliz bilim adamlarının son zamanlarda yaptığı araştırmalar bu konuya yeni bir bakış açısı sunuyor. Kadınların, erkeklerin duygusal sorumluluklarına ve başkalarına yardım etme isteklerine nasıl tepki verdiklerini incelediler. Araştırmanın bulguları, erkekleri kadınlar için neyin çekici kıldığına dair anlayışımızı değiştirebilir. Monash Üniversitesi'nden bilim adamlarının yürüttüğü bir araştırma, erkeklerin kadınlara karşı çekiciliği hakkında yeni bulgulara yol açıyor. Deneyde kadınlara, evsiz bir kişiyle karşılaştıklarında verdikleri tepkiler de dahil olmak üzere çeşitli durumlardaki davranışları hakkında kısa öykülerin yer aldığı erkeklerin fotoğrafları gösterildi. Erkeklerden bazıları evsiz adamı görmezden gelirken, diğerleri ona yiyecek almak gibi yardımlarda bulundu. Bir araştırma, empati ve nezaket gösteren erkeklerin, kadınlar için empati ve nezaket gösteren erkeklere göre daha çekici olduğunu ortaya çıkardı. ... >>

Arşivden rastgele haberler

Akıllı telefonlar için film koruması 11.11.2013

Georgia Institute of Technology'den (ABD) araştırmacılar, atomik katman biriktirme teknolojisini kullanarak bu filmleri elde etmek için yeni bir yol geliştirdiler.

Bu, bir torba kurabiyeyi kapatabilen kırılgan filmle ilgili değil, örneğin bir telefonun OLED ekranını oksijene veya hidrojen buharına maruz kalmaktan koruyan üst düzey bir bariyer filmle ilgili. Böyle bir filmin üretimi, yüksek performans özelliklerine sahip malzemeler gerektirir - metal oksitler. Bu yüksek performanslı korumayı üretmek için mevcut yöntemler kusurludur. Üretim süreci nedeniyle, filmler genellikle küçük deliklerden su veya oksijenin girmesine izin veren küçük kusurlara sahiptir.

Georgia Institute of Technology'deki Samuel Graham ve meslektaşları, koruyucu filmlerin kalitesini artırmak için atomik katman biriktirme teknolojisinin nasıl kullanılabileceğini araştırıyorlar. Sonuç olarak, bilim adamları elektronik aksamları aşırı koşullarda bile koruyabilen yeni filmler yarattılar - örneğin, birkaç ay boyunca tuzlu suya daldırıldığında. Bu tür koruyucu filmler oluşturarak elektronik cihazların hizmet ömrünü ve güvenilirliğini önemli ölçüde uzatmak mümkündür. Böyle bir kaplamanın, voltaj uygulandığında ışık iletim derecesini değiştiren implante edilebilir biyomedikal cihazlar, ışık yayan diyotlar, ekranlar, güneş pilleri ve organik elektrokromik pencereler için kullanılması önerilmektedir.

Yüksek performanslı bariyer filmler genellikle bir püskürtme yöntemi veya bir plazma kimyasal biriktirme yöntemi kullanılarak yapılır. Bu yöntemlerde, malzeme ya bir substrat üzerine "püskürtülür" ya da bir film haline gelen ince bir tabaka oluşturarak bir plazmadan büyütülür. Ve bu yöntemler endüstride yaygın olarak kullanılmasına rağmen, genellikle kusurlara yol açarlar, bu nedenle yüksek kaliteli bir koruyucu bariyer oluşturmak için birkaç kaplama gerekir.

Atomik katman biriktirme teknolojisi ile araştırmacılar, süreci moleküler seviyeye kadar hassas bir şekilde kontrol edebilirler. Bu, minimum kusurla en ince filmleri oluşturmanıza olanak tanır. İmalat işlemi sırasında araştırmacılar, alt tabakayı metal atomları, özellikle alüminyum içeren bir gazla çevreler. Gaz molekülleri substrat üzerine yerleşerek tek bir atom tabakası oluşturur. Fazla gaz daha sonra hazneden çıkarılır ve içine hava ve su geçirmeyen bir metal oksit oluşturan başka bir gaz verilir. Bu işlem, 10 nm kadar düşük olabilen istenen film kalınlığını elde etmek için tekrarlanır.

Karşılaştırma için, geleneksel yöntemlerle üretilen filmler onlarca ve yüzlerce kat daha kalındır.

Diğer ilginç haberler:

▪ domuz şehri

▪ Teröre karşı ıspanak

▪ LED SOLERIQ S 13 OSRAM Opto Yarı İletkenler

▪ uykunun evrimi

▪ çikolata çiğnemenin sırrı

Bilim ve teknolojinin haber akışı, yeni elektronik

Ücretsiz Teknik Kitaplığın ilginç malzemeleri:

▪ Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi sitesinin bölümü. Makale seçimi

▪ makale Zeytinin altında barış yok. Popüler ifade

▪ makale Krylov'un masalındaki yusufçuk aslında ne tür bir böcek? ayrıntılı cevap

▪ Rickets makalesi. Sağlık hizmeti

▪ makale Tüp amplifikatörlerin hesaplanması. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

▪ makale 144HC74 çipinde 00 MHz verici. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

Bu makaleye yorumunuzu bırakın:

Bu sayfanın tüm dilleri

Ana sayfa | Kütüphane | Makaleler | Site haritası | Site incelemeleri