3D V-NAND belleği kullanmak, 10 TB SSD oluşturmanıza olanak tanır 30.11.2014

3D V-NAND flash bellek şimdiden değerini kanıtladı: Geleneksel MLC yongalarından daha fazla depolama kapasitesi sunmakla kalmaz, aynı zamanda meşhur TLC'nin aksine oldukça güvenilirdir. Görünüşe göre 3D V-NAND, en yeni nesil geleneksel HDD'lerle karşılaştırılabilir hacimlere sahip uygun fiyatlı katı hal sürücüleri alanında bir atılım yapmak üzere. 10 terabayt ve üzeri kapasitelerden bahsediyoruz.

Bu tam olarak Intel Corporation tarafından ileri sürülen girişimdir. Yakın tarihli bir Intel yatırımcı toplantısında, 2015'in ikinci yarısında Intel-Micron Flash Technologies ortak girişiminin 256Gb ve 384Gb çok katmanlı yongaların seri üretimine başlayacağı duyuruldu.

İkinci durumda, üç seviyeli hücreler kullanılacaktır. Yeni 3D-NAND yongalarının üç boyutlu yapısı, geleneksel TSV'ye benzer bir dizi özel dikey yapı (silikon aracılığıyla) kullanılarak birbirine bağlanan 32 katman yongaya sahip olacak. Böyle bir kapasiteye sahip flash bellek yongalarının ortaya çıkması, günümüzde mevcut olmayan büyük hacimli katı hal sürücülerinin yaratılmasının yolunu açacaktır. Intel'in kalıcı bellek bölümünün başkan yardımcısı Rob Crooke, yeni teknolojiye dayalı SSD'lerin önümüzdeki iki yıl içinde 10 terabaytı aşabileceğine inanıyor. Buna karşılık, geleneksel uçak içi teknolojilere dayalı 4 terabaytlık bir SSD oluşturmak isteyen SanDisk, her biri tek bir pakette dört 64 gigabit kalıp taşıyan 512 korkunç pahalı 64 gigabit (128 GB) eMLC yongası kullanmak zorunda kaldı. Bu yongalar, maliyetlerini artıran, ancak hiçbir şekilde güvenilirlik sağlamayan, son teknoloji bir ince üretim süreci kullanılarak üretilir.

Ancak 256 ve 384 gigabit (sırasıyla 32 ve 48 GB) kapasiteli "üç boyutlu" Intel-Micron yongaları daha büyük ve çok daha ucuz teknik süreçler ve aynı zamanda daha güvenilir olanları kullanacak. Ne yazık ki Intel, ne tür bir işlem teknolojisinin söz konusu olduğu konusunda hala sessiz. Ancak SSD'lerin 256Gb "128D" çiplerine dayalı çalışan prototipleri zaten mevcut ve bunlardan biri yukarıda bahsedilen etkinlikte gösterildi. Samsung'un da aktif olarak "üç boyutlu" flash bellek ürettiğini belirtmek gerekir: 24 gigabit yongaları 32 veya 42 katmana sahiptir ve günümüz standartlarına göre alışılmadık derecede büyük olan 86 nanometre teknolojik standartları kullanır. Bu mikro devrelerin "görünür kapasitesi" 256 Gbit'tir; Samsung, her ne pahasına olursa olsun yeni teknolojiyle ilgili varsayımsal sorunlardan kaçınmak istiyor gibi görünüyor. Bu arka plana karşı, XNUMX gigabit kapasite ile hemen başlayan Intel-Micron projesi çok daha iddialı görünüyor, ancak bu yaklaşımla nihai ürünün maliyeti gözle görülür şekilde daha düşük olacak. Ve elbette sıradan kullanıcılar da bundan faydalanacaktır.

Ancak Intel'in yeni yongaları daha iyi bir fiyat-kapasite oranına sahip olsa bile, Intel-Micron ittifakının bunları üretme yeteneği henüz NAND pazarı üzerinde ciddi bir etkiden bahsetmemize izin vermiyor. ChinaFlashMarket.com'a göre, IMFT ittifak fabrikası ayda yaklaşık 70 300 mm gofret üretebilir ve bu sayı farklı bellek türlerini içerir. IMFS ve MTV fabrikalarını kullanmak, ayda 80 ila 40 300 mm daha wafer üretebilir, ancak bu, Samsung'un kapasitesiyle karşılaştırıldığında hiçbir şey. Güney Koreli devin yeni tip flash belleklerin üretimi için özel olarak inşa edilen fabrikalarından sadece biri ayda 100 gofret üretme kapasitesine sahipken, Samsung'un aynı amaca uygun diğer üretim tesisleri 400'den fazla gofret üretebiliyor. aynı zaman diliminde gofretler.

Diğer bir deyişle, Intel'in yeni çok katmanlı flash bellek yongaları tüm SSD pazarında devrim yaratmayabilir, ancak yüksek kapasiteli modelleri kullanıcılar için daha erişilebilir hale getirecek ve şirketin bu mikro elektronik endüstrisindeki konumunu önemli ölçüde güçlendirmesine olanak tanıyacak. Intel'in NAND ve SSD bölümlerinin 2014 yılında yaklaşık 2 milyar dolarlık birleşik gelire sahip olması bekleniyor ve yeni 256-Gigabit çok katmanlı yongaların piyasaya sürülmesi bu rakamı önümüzdeki yıllarda artıracak.