KP504 serisinin alan etkili transistörleri. Referans verisi

Ücretsiz teknik kütüphane

RADYO ELEKTRONİK VE ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANSİKLOPEDİSİ
Ücretsiz kütüphane / Radyo-elektronik ve elektrikli cihazların şemaları

KP504 serisinin alan etkili transistörleri. Referans verisi

Ücretsiz teknik kütüphane

Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi / Referans malzemeleri

makale yorumları

Yalıtımlı geçit ve kanal zenginleştirmeye sahip orta güçte alan etkili n-kanallı silikon transistörler KP504A-KP504E, epitaksiyel düzlemsel teknoloji kullanılarak üretilmektedir. Cihaz, kaynak ve drenaj arasına bağlanan yerleşik bir koruyucu ters taraflı diyotla donatılmıştır.

Transistörler, transformatörsüz girişli ikincil güç kaynaklarında, sürekli ve darbe kontrollü regülatörlerde, stabilizatörlerde ve voltaj dönüştürücülerde, düşük güçlü elektrik motorlarının tahrik ünitelerinde ve ev ve endüstriyel kullanıma yönelik diğer ekipmanlarda çalışmak üzere tasarlanmıştır.

Cihazlar, sert damgalı kalaylı terminallere sahip KT-26 (TO-92) plastik bir mahfazanın içine yerleştirilmiştir (Şekil 1). KP504A transistörünün yabancı bir analogu BSS88'dir.

KP504 serisi alan etkili transistörler

Tacr.av = 25±10°C'deki ana özellikler

1 mA drenaj akımı ve bağlı bir kapı kaynağı ile eşik voltajı, V. . .0,6...2
KP300A-KP50V, KP0,25D için 4,5 A drenaj akımı ve 504 V kapı kaynağı voltajı ile 504 μs'den fazla olmayan bir darbe süresi ve en az 504 görev döngüsü ile açık kanal direnci, Ohm, daha fazla değil , KP504E... ...8
KP504G......10
Açık kanal direnci, Ohm, daha fazla değil, darbe süresi en fazla 300 μs ve görev döngüsü en az 50, 14 mA drenaj akımı ve KP1,8A- KP504V, KP504D için 504 V kapı kaynağı voltajıyla , KP504E..... .15
KP504G......18
Artık drenaj akımı, μA, artık yok, izin verilen maksimum drenaj kaynağı voltajında ve sıfır geçit kaynağı voltajında......1
Kapı kaçak akımı, µA, artık yok, sıfır drenaj kaynağı voltajında ve kapı kaynağı voltajında ±20 V......±0,1
Akım-gerilim karakteristiğinin eğimi, A/V, en az 300 μs'lik darbe süresi ve görev döngüsü en az 50, drenaj kaynağı voltajı 5 V ve drenaj akımı 0,25 A ile ......0,14, XNUMX
Koruyucu diyotun sabit ileri voltajı, V, daha fazla değil, darbe süresi 300 μs'den fazla değil ve görev döngüsü en az 50, sıfır geçit kaynağı voltajı ve diyot boyunca 0,5 A akım ile
KP504A, KP504V-KP504D......1,3
KP504B, KP504E......1,8

Termal direnç kristal ortamı, °С/W, maks, için

KP504A, KP504B......125
KP504V-KP504E......177
Transistörün kapasitansı*, pF, artık yok, sıfır geçit kaynağı voltajında, drenaj kaynağı voltajı 25 V ve giriş frekansı 1 MHz......140
hafta sonu ...... 30
kontrol noktası......9

* Referans parametreleri.

Sınır değerler

KP504A, KP504B, KP504D, KP504E için en yüksek drenaj kaynağı voltajı, V ...... 240
KP504V......200
KP504G......250
Maksimum geçit kaynağı voltajı, V......±10
Maksimum doğru akım* tahliyesi, mA, için
KP504A, KP504B......250
KP504V, KP504D, KP504E......200
KP504G......180
En yüksek darbe akımı * tahliye, A ...... 1
Maksimum sabit güç kaybı**, W, 25 °C'yi aşmayan ortam sıcaklığında, KP504A, KP504B için......1
KP504V-KP504E......0,7
Kristalin en yüksek sıcaklığı, ° С ...... 150
Ortamın çalışma sıcaklık aralığı, °С......-55...+125

* Maksimum dağılım gücü ve kristal sıcaklığının aşılmaması şartıyla

** +25 ila +125 °C arasındaki Tam.av ortam sıcaklıklarında, maksimum dağıtılan güç Pmax, Pmax = (Tcr max - Tam.av.)/RT.cr-avg formülüne göre azaltılmalıdır, burada Tcr max en yüksek kristal sıcaklığıdır; RT.cr-sr - termal direnç kristal ortamı.

OST 30 11 uyarınca izin verilen statik potansiyel değeri 073.062 V'tur. Ekipmana transistör takmanın çalışma modu ve koşulları OST 11 336.907.0'a uygundur.

KP504 serisi transistörlerin parametrelerinin en önemli grafiksel tipik bağımlılıkları aşağıda sunulmuştur. İncirde. Şekil 2, a ve b, ortam sıcaklığının iki değerinde çıkış özelliklerini göstermektedir ve Şekil 3'de. 4 - drenaj akımının kapı kaynağı voltajına bağımlılığı. İncirde. Şekil 25, cihazın açık kanal direncinin sıcaklığa normalleştirilmiş bağımlılığını göstermektedir (RK, mevcut kanal direncinin +XNUMX °C kristal sıcaklığındaki dirence oranıdır).
Pirinç. Şekil 5, eşik voltajındaki sıcaklık değişimini göstermektedir ve Şekil 6, eşik voltajındaki sıcaklık değişimini göstermektedir. 7 - izin verilen maksimum sabit güç kaybı. Drenaj kaynağı voltajı değiştiğinde transistörlerin giriş, çıkış ve geçiş kapasitansı değerlerinin nasıl değiştiğine dair bir fikir, Şekil 8'deki grafikte verilmektedir. 9. Akım-gerilim karakteristiğinin eğiminin ve açık kanalın drenaj akımına direncinin bağımlılığı, Şekil 10'de gösterilmektedir. Sırasıyla XNUMX ve XNUMX. Yerleşik koruyucu diyotun güç yetenekleri Şekil XNUMX'de gösterilmektedir. XNUMX.

(büyütmek için tıklayın)

Yazar: V.Kiselev, Minsk, Beyaz Rusya

Diğer makalelere bakın bölüm Referans malzemeleri.

Oku ve yaz yararlı bu makaleye yapılan yorumlar.

<< Geri

En son bilim ve teknoloji haberleri, yeni elektronikler:

Bahçelerdeki çiçekleri inceltmek için makine 02.05.2024

Modern tarımda, bitki bakım süreçlerinin verimliliğini artırmaya yönelik teknolojik ilerleme gelişmektedir. Hasat aşamasını optimize etmek için tasarlanan yenilikçi Florix çiçek seyreltme makinesi İtalya'da tanıtıldı. Bu alet, bahçenin ihtiyaçlarına göre kolayca uyarlanabilmesini sağlayan hareketli kollarla donatılmıştır. Operatör, ince tellerin hızını, traktör kabininden joystick yardımıyla kontrol ederek ayarlayabilmektedir. Bu yaklaşım, çiçek seyreltme işleminin verimliliğini önemli ölçüde artırarak, bahçenin özel koşullarına ve içinde yetişen meyvelerin çeşitliliğine ve türüne göre bireysel ayarlama olanağı sağlar. Florix makinesini çeşitli meyve türleri üzerinde iki yıl boyunca test ettikten sonra sonuçlar çok cesaret vericiydi. Birkaç yıldır Florix makinesini kullanan Filiberto Montanari gibi çiftçiler, çiçeklerin inceltilmesi için gereken zaman ve emekte önemli bir azalma olduğunu bildirdi. ... >>

Gelişmiş Kızılötesi Mikroskop 02.05.2024

Mikroskoplar bilimsel araştırmalarda önemli bir rol oynar ve bilim adamlarının gözle görülmeyen yapıları ve süreçleri derinlemesine incelemesine olanak tanır. Bununla birlikte, çeşitli mikroskopi yöntemlerinin kendi sınırlamaları vardır ve bunların arasında kızılötesi aralığı kullanırken çözünürlüğün sınırlandırılması da vardır. Ancak Tokyo Üniversitesi'ndeki Japon araştırmacıların son başarıları, mikro dünyayı incelemek için yeni ufuklar açıyor. Tokyo Üniversitesi'nden bilim adamları, kızılötesi mikroskopinin yeteneklerinde devrim yaratacak yeni bir mikroskobu tanıttı. Bu gelişmiş cihaz, canlı bakterilerin iç yapılarını nanometre ölçeğinde inanılmaz netlikte görmenizi sağlar. Tipik olarak orta kızılötesi mikroskoplar düşük çözünürlük nedeniyle sınırlıdır, ancak Japon araştırmacıların en son geliştirmeleri bu sınırlamaların üstesinden gelmektedir. Bilim insanlarına göre geliştirilen mikroskop, geleneksel mikroskopların çözünürlüğünden 120 kat daha yüksek olan 30 nanometreye kadar çözünürlükte görüntüler oluşturmaya olanak sağlıyor. ... >>

Böcekler için hava tuzağı 01.05.2024

Tarım ekonominin kilit sektörlerinden biridir ve haşere kontrolü bu sürecin ayrılmaz bir parçasıdır. Hindistan Tarımsal Araştırma Konseyi-Merkezi Patates Araştırma Enstitüsü'nden (ICAR-CPRI) Shimla'dan bir bilim insanı ekibi, bu soruna yenilikçi bir çözüm buldu: rüzgarla çalışan bir böcek hava tuzağı. Bu cihaz, gerçek zamanlı böcek popülasyonu verileri sağlayarak geleneksel haşere kontrol yöntemlerinin eksikliklerini giderir. Tuzak tamamen rüzgar enerjisiyle çalışıyor, bu da onu güç gerektirmeyen çevre dostu bir çözüm haline getiriyor. Eşsiz tasarımı, hem zararlı hem de faydalı böceklerin izlenmesine olanak tanıyarak herhangi bir tarım alanındaki popülasyona ilişkin eksiksiz bir genel bakış sağlar. Kapil, "Hedef zararlıları doğru zamanda değerlendirerek hem zararlıları hem de hastalıkları kontrol altına almak için gerekli önlemleri alabiliyoruz" diyor ... >>

Arşivden rastgele haberler

Samsung Galaxy Note 3 11.09.2013

Samsung Electronics, Berlin'deki IFA 3'te yeni amiral gemisi akıllı telefonu Samsung Galaxy Note 2013'ü tanıttı. Cihaz, diyagonal 5,7 inç olan genişletilmiş bir Full HD Süper AMOLED ekrana sahip ve sekiz çekirdekli Samsung Exynos 8 işlemci (5420 GHz'de dört çekirdek ve 1.9 GHz'de dört çekirdek) tarafından destekleniyor. RAM miktarı rekor 1.3 GB'a yükseldi ve pil kapasitesi - 3 mAh'ye kadar. Aynı zamanda, akıllı telefon önceki modele göre daha ince (3200 mm) ve daha hafif (8,3 g.) hale geldi.

Dahili bellek 32 GB'dir, ancak cihaz 64 GB'a kadar microSD ile çalışabilir. Samsung Galaxy Note 13'teki 3 MP kamera, akıllı bir gimbal ve CRI LED flaşa sahip.

Yeni amiral gemisi Samsung'a yüklenen yazılımda veri güvenliğine büyük önem verildi. Samsung KNOX platformu, uygulamaları sistem düzeyinde kötü amaçlı yazılımlardan ve kimlik avından koruyan bir "kapsayıcı" içinde çalıştırmanıza olanak tanır. Kullanıcılar, Samsung KNOX kullanarak kurumsal uygulamaları ve hizmet bilgilerini depolayabilecek ve BT hizmeti, Exchange ActiveSync Sunucusu (EAS) aracılığıyla depolama ile birlikte çalışacak.

Samsung Galaxy Note 3 ayrıca, kaybolması veya çalınması durumunda cihazınızı kilitleyen Find My Smartphone ile birlikte gelir. Gerekirse, cihazdaki bilgiler uzaktan silinebilir.

Değişikliklerden ve cihazın tasarımından geçti. Önceki modellerde plastikten yapılan arka panel, şimdi dokulu deri benzeri bir kaplama ile yapılıyor. Samsung Galaxy Note 3 iki renkte sunulacak: siyah ve beyaz.

Diğer ilginç haberler:

▪ Kırmızı şarap ömrü uzatabilir

▪ Obezite zihinsel yeteneği bozar

▪ Metale dönüştürülen hidrojen

▪ Gıda atıklarının gıdaya dönüştürülmesi

▪ Bilinç beyinden ayrı olarak var olur

Bilim ve teknolojinin haber akışı, yeni elektronik

Ücretsiz Teknik Kitaplığın ilginç malzemeleri:

▪ sitenin bölümü Akım, voltaj, güç regülatörleri. Makale seçimi

▪ makale Köksüz kozmopolitler. Popüler ifade

▪ makale Çatal bıçak nasıl ortaya çıktı? ayrıntılı cevap

▪ makale Eğitim bölümünün Metodisti. İş tanımı

▪ makale Su temini ve havalandırma için fotovoltaik sistemler. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

▪ makale 144 MHz Doğrudan Dönüşüm Alıcısı. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi

Bu makaleye yorumunuzu bırakın:

Bu sayfanın tüm dilleri

Ana sayfa | Kütüphane | Makaleler | Site haritası | Site incelemeleri