|
Arabic
Bengali
Chinese
English
French
German
Hebrew
Hindi
Italian
Japanese
Korean
Malay
Polish
Portuguese
Spanish
Turkish
Ukrainian
Vietnamese|
RADYO ELEKTRONİK VE ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ ANSİKLOPEDİSİ 20-80 W gücünde LDS'ye güç sağlamak için voltaj dönüştürücü. Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi
Radyo elektroniği ve elektrik mühendisliği ansiklopedisi / Gerilim dönüştürücüler, doğrultucular, invertörler Çoğu voltaj dönüştürücü (VC) devresi, LDS'ye 30 W'tan fazla olmayan bir güçle güç sağlamak için tasarlanmıştır. Pil kapasitesinin güçlü enerji tüketicilerinin uzun süreli çalışmasına izin vermediği bilinmektedir. Bu nedenle düşük güçlü LDS kullanmaya çalışıyoruz. Ve bu verimlilik açısından kesinlikle kârsızdır! Deneysel çalışmaların da kanıtladığı gibi, ışık miktarı/tüketilen enerji miktarı oranını alırsak, küçük boyutlu LDS yüksek verimli ışık yayıcılar değildir. Sabit koşullarda, büyük boyutlu bir LDS'nin kurulması, küçük boyutlu olandan daha karlıdır. Bu şekilde, bu LDS'lerin pilden tükettiği aynı güçle daha fazla ışık çıkışı elde edilir. Elbette LDS'nin ayarlanabilir parlaklığına sahip PN'den bahsediyoruz. LDS ve PN şemasının belirli bir türünü veya üreticisini kastetmiyorum. İşte sadece bir örnek. “Gece lambası” modunda 40 W LDS ile çalıştırılan PN, 12 V aküden 0,10,3 A akım tüketiyordu.Aynı zamanda oda o kadar hafifti ki taşınabilir bir el feneri aynı gücü tüketiyordu ( 12 V; 0,1 -0,3 A), “ateş böceği” rolündeydi. Bu nedenle, LDS'ye PN'den güç verirken pil enerjisinden tasarruf etmekten bahsediyorsak, hem PN'nin tasarımına hem de LDS tipine uygun şekilde dikkat etmeliyiz. Yurt dışında üretilen LDS yerli olanlardan daha iyidir. 40 W gücünde bir Philips LDS lamba seçtiğimizi varsayalım. Yerli olanlardan çok daha pahalı değiller, ancak özellikleri bakımından ikincisinden önemli ölçüde üstünler. Öncelikle Philips'in parlaklığı LDS'mizinkinden daha fazla. LDS'ye voltaj kaynağından ve aküden güç verirken çok ama çok önemli olan ikinci şey, silindir içindeki gazı ateşleme voltajının neredeyse yarısı kadar olmasıdır. LDU-600 için 700-1000 V'ye karşılık yaklaşık 1200-40 V (Philips için) ve hatta daha fazlası var. Görünüşe göre bu lambaları karşılaştırırken güvenilirlik ve dayanıklılıktan bahsetmeye gerek yok. Yayınlanan neredeyse tüm PN'lerin devre tasarımı "bir yerde kesişiyor." LDS için PN'deki ana noktalar (“tuzaklar”) üzerinde duralım. Güç darbe devresi gereksinimleri hiçbir şekilde göz ardı edilemez. Örneğin, 20 kHz'in üzerindeki frekanslardan bahsediyorsak "rastgele" transformatörler veya düşük frekanslı transistörler kuramazsınız. Kurulum da zor bir iştir. Bu özellikle CMOS yonga serisi 176, 561 vb. için geçerlidir. Az önce listelenen her şey LDS için PN'de birkaç kopya halinde yer aldığında, yeni başlayanların çalışmalarını gözlemleme fırsatım oldu! Şaşırtıcı olan LDS'nin hâlâ çalışıyor olmasıydı! Ancak bir LDS'yi 40 W şöyle dursun 80 W'lık bir güçle "artırmak" neredeyse imkansızdır. Diyagramı Şekil 1'de gösterilen PN, bu tür ekipmanlar için gerekli gereksinimlerin çoğunu dikkate alır. Dikdörtgen puls üretecinin kendisi bir CMOS yongası DD1 tipi K561LE5 üzerine monte edilmiştir. Parlaklık, darbelerin görev döngüsü R2 direnci ile değiştirilerek ayarlanır. Jeneratörün frekansı (DD1.1 ve DD1.2 elemanları), C1 kapasitörünün kapasitansına ve tabii ki kurulumun kapasitansına ve mikro devre tipine bağlıdır. Dördüncü elemanın (pim 10) DD1 çıkışından, R5 direnci üzerinden kontrol sinyali, MOS alan etkili transistör VT2'nin (KP901A) kapısına beslenir. İkincisinin kaynağından sinyal, IR.Z3 tipi güçlü bir alan etkili transistör VT34'ün kapısına gider. Ancak Şekil 1'deki diyagram tek bir ayrıntıyı göstermemektedir. Bu, transistör VT8'ün kapı boşluğuna bağlanan 33051 Ohm dirençli R3 direncidir.
Elektrotlar arasındaki büyük iç kapasitanslar dışında pek çok kişi güçlü saha cihazlarından yararlanır. Bu durumda 1000 pF'yi aşan geçit kaynağı kapasitansından bahsediyoruz. PN'nin verimliliğini artırmak, yani VT3 transistöründe gereksiz yere harcanan gücü azaltmak için, bu transistörü hızlı bir şekilde açıp kapatmak gerekir. Bu, VT3 giriş kapasitansını hızlı bir şekilde şarj edip boşaltmadan yapılamaz. Bu konuda profesyonel literatürde çok şey söylendi, amatör radyo literatüründe ise çok az şey söylendi. Bir kişi, düşük drenaj kaynağı direncine (açık durumda) sahip güçlü bir alan etkili transistör kurmanın, güç kayıplarını değiştirme sorununu zaten çözdüğüne inanıyor. Ama bu doğru değil! Bu tasarım, transistör VT3'ün giriş kapasitansının hızlandırılmış deşarjı için özel önlemler sağlar. Bunu yapmak için PN devresine ek elemanlar monte edilir: transistör VT1, direnç R6 ve güçlendirme kapasitörü C6. Bu sistemin özü oldukça basittir. DD1.3 ve DD1.4 elemanlarının çıkışlarında her zaman antifaz darbeleri bulunduğundan devrenin çalışma algoritmasını anlamak zor değildir. Transistör VT1, DD3 elemanının çıkışında bir günlük mevcut olduğunda giriş kapasitansı VT1.3'ü zorla boşaltır. "1". Günlüğü ayarlarken. DD0 çıkışındaki “1.3”, transistör VT1 hızlı bir şekilde kapanır, bu amaçla “ard yakıcı” C6 kapasitör şeklinde monte edilir. Örneğin R7 direncinin direncini 10-30 kat azaltmanın daha kolay olacağını söyleyebiliriz. Daha basit, ancak ekonomik veya etkili değil çünkü bu direnç pil gücünün bir kısmını (neredeyse işe yaramaz bir şekilde) dağıtacaktır. Verimlilik hakkında. Gerçek şu ki, VT1, R6 ve C6 devre elemanları sayesinde, PN'nin neredeyse en karlı çalışma modu için çok benzersiz bir otomatik düzenleme devresi oluşturulmuştur. Bu da LDS'nin parlaklığı çok geniş bir aralıkta değiştiğinde PN işleminin stabilitesini etkiler. Bu elemanlar olmadan devre çok daha kötü çalışır. Giriş kapasitansı VT3'ün şarj edilmesi, nispeten küçük bir giriş kapasitansı S901I'ye (spesifikasyonlara göre yaklaşık 3 pF) sahip olan güçlü bir alan etkili transistör tipi KP100A tarafından sağlanır. Direnç R5 anti-parazittir, VT3'ün HF ve VHF bantlarında çalışmasını engeller; bu, KP901A (fgr ~ 400 MHz) gibi "hızlı" transistörler için oldukça gerçekçidir. Güç kaynağındaki RF titreşimleri jeneratörün normal çalışmasını bozabileceğinden mikro devreye bir RC filtresi aracılığıyla güç verilir. Ayrıntılar hakkında. K561LE5 yerine, KT561A transistörü - KT7A yerine K645LA3142'yi kurabilirsiniz. Diğer transistörlerin VT1 olarak kullanılması mümkündür; hangisinin daha iyi, hangisinin daha kötü olduğunu deneyler gösterecektir. Lamba gücü 30 W'tan fazla değilse KP901A yerine KP902A'yı kullanabilirsiniz. IR.Z34 tipi terminal transistörü herhangi bir benzer ile değiştirilebilir. KP922A gibi yerli olanları bile kurabilirsiniz ancak gövdeleri daha fazla ısınacaktır. Bu nedenle birkaç kopya paralel olarak kurulur. Sorun, eşik gerilimleri Uthr'nin yakın değerlerine sahip numunelerin seçiminde yatmaktadır. Sahip olduklarımdan bir zamanlar 12 parçam vardı. KP922A Yukarı. 3,5 ila 6,5 V arasındaydı! Dolayısıyla seçim açıktır ve KP922A'mızın fiyatı IR.640 gibi transistörlerinkinden bile daha yüksektir (ve bu, ikincisinin parametrelerinin bizimkilerden iki kat daha iyi olmasına rağmen). IR.640 da burada pek uygun değil ve yalnızca açıldığında drenaj kaynağı direncinin artması nedeniyle. Okuyucu, başlangıçta VT3 transistörünün kurulduğunu bilmek isteyecektir... bipolar tip KT8101A! Doğru, bu durumda, transistör VT1 olarak bir germanyum GT311E kuruldu. Aksi takdirde, yüksek doyma voltajı Uke.us, KT8101A transistörünün giriş kapasitansını boşaltamayacaktır. KT827A'nın da kullanılması muhtemel. Ancak ana olmayan taşıyıcıların tabanda dağılması sorunu, bipolar transistör kapatıldığında negatif voltaj gerektirir. Bu yapılabilir ancak PN devresi tamamen değiştirilmiştir. Direnç R2-SP-1 (A-1 VT-II) doğrudan baskılı devre kartı PN'ye monte edilir (lehimlenir) (Şekil 2). Kurulum kapasitesindeki keskin düşüş sorununu çözmenin tek yolu budur.
C1 kapasitörünün kapasitansına dikkat edin, yaklaşık 15 pF'dir. Darbe transformatörü T1 hakkında. Pek çok şey bu transformatöre bağlıdır. Ferrit halkaları burada kullanılamaz. Bu nedenle, "önemsiz şeylerle zaman kaybetmemek" için TPI'den bir ferrit çekirdek kullanıldı (çekirdek ayrı olarak satın alındığından, yani bobinler ve sargılar olmadan TPI markası kurulmadı). Ferrit Ш16Х Х20 М2000 НМ1-14. Darbe transformatörünün T1 aşağıdaki tasarımı oldukça yeterlidir (bu tasarımın maksimum verimliliği açısından). Öncelikle 300 tur PEV-2 D0,6 tel sarıyoruz. Üstüne 12 tur PEV-2 tel D2,4 mm sarıyoruz. Sargılar arasında bir yalıtım bandı tabakası vardır. Çerçeve yapımı hakkında. 17x21 mm kesitli ahşap bir mandrel üzerine 1-2 kat elektrikli kartonu vidalıyoruz (bu mevcut değilse, yeterli mukavemete sahip herhangi bir karton yapacaktır). Çerçevenin yanakları için bir rezerv bırakıyoruz. Ferrit çubuk üzerinde kesimler yapıyoruz ve “takıyoruz”. Yeni çerçeve, ferrit çekirdeğin yarısına tamamen serbestçe oturmalıdır. Aksi takdirde, sargıları sardıktan sonra bir "sürpriz" bekleyebilirsiniz - yerine oturmayacaktır. Kullanılmış ferritlerin kullanılmasını hiçbir şekilde tavsiye etmiyorum. Ve bunun en az iki ciddi nedeni var. Ferrit "küçültülmüş" olabilir, yani spesifikasyonlarda ima edilen özelliklere sahip olmayabilir. İkincisi, ferrit ürünleri aşırı ısıtmayın! 100-200°C'nin üzerine ısıtıldığında (ferrit markasına bağlı olarak) parametreleri tam anlamıyla kaybolur. Radyo amatörleri bu konuda inatla sessiz kalıyor. Sadece ilgili literatürde ferritlerin parametrelerinin belirli sıcaklıklara kadar korunduğu söylenmektedir. Ancak amatörler "bardakların" ve diğer ferrit ürünlerinin yarısını tam olarak bu şekilde (ısıtma!) ayırırlar. Şahsen, bu tür ferrit "şeylere" "tökezleme" fırsatım oldu. Manyetik devrenin iki yarısı arasındaki boşluk büyük olmamalıdır. Optimum değeri yaklaşık 0,1 mm'dir. Şimdi yapının bir bütün olarak kurulumu hakkında. PN kartı, transistör VT3'ün yakınında bulunur; ikincisi, 300 cm2 soğutma yüzeyine sahip bir ısı emicinin üzerindedir. Bu transistörün kapı terminaline doğrudan 33 ohm'luk bir direnç (R8) lehimlenmiştir. Bu çok önemli: hem bu direncin varlığı hem de konumu. Daha da önemlisi PN bağlantı kablolarının uzunluğudur. En kısa uzunluk, transistör VT3'ün ve transformatör T1'in (ikincisinin "sıcak" musluğu) drenajını bağlayan tel olmalıdır. Benzer gereksinimler, transformatör T1 sargısının "soğuk" terminali I'in kapasitör C5 ve PN kartına bağlanması için de geçerlidir. Aküden gelen güç önce C5 kondansatörünün terminallerine beslenir ve ancak o zaman PN kartına gider. Daha sonra, doğrudan kapasitörün terminallerine 4,7 μF x 63 V (K73-17) elektrolitik olmayan bir kapasitör yerleştirildi. Yapısal olarak PN, SN-315 tipi aşınmış bir ferrorezonans ağ stabilizatörünün mahfazasına yerleştirilir. Şebeke güç kaynağı (PSU) da burada bulunur. Pil zayıf olduğunda veya pil olmadığında ağ güç kaynağının çok kullanışlı ve gerekli bir şey olduğunu kabul edin. Ağdan bir voltaj kaynağı oluşturmanın ve hatta parlaklık ayarının bile bu düşük voltajlı voltaj beslemesinden çok daha zor olduğu bir sır değil. Ve sistemimiz artık hem pille hem de ağ güç kaynağıyla çalışabiliyor. Ağ güç kaynağı hakkında. Besleme voltajını artırmaya kendinizi kaptırmayın. Sürekli stabilizatörler bir bütün olarak tüm sistemin verimliliğini azaltır. Anahtar stabilizatörler tamamen farklı bir konudur. Ama kişisel olarak "çan ve ıslıklardan" hoşlanmıyorum. Fiberglas üzerine yerleştirilen KD213A diyot köprüsünden memnun kaldım (40 W LDS lambayla bile diyotların soğutulması gerekiyor!). Sargı II'den gelen alternatif voltaj ~14 V'tur. Doğrultucu filtre kapasitörü, 50 μF x 32 V kapasiteli K22,000-40A'dır. 80 W LDS lambası için, 1 A'da .U10 kullanılır. 1 A'da bir ampermetre, .U10 ile seri olarak bağlanmış Ve bu bir lüks değil, PN'nin çalışması üzerinde oldukça operasyonel bir kontrol. Ağ transformatörü hakkında. Aynı kullanılamaz CH-315'ten toroidal bir manyetik çekirdek kullanıldı. Birincil sargı 946 tur PELSHO 0,64 tel içerir; ikincil - 60 tur tel PEV-2 D1,8 mm. Toroidal manyetik çekirdeğin boyutları: dış D92,5 mm, iç D55 mm, yükseklik 32 mm. Yüksüz akım yaklaşık 10 mA'dir (~220 V). Marka bilinmez hale geldi. Ancak sonuçlara bakılırsa çelik yüksek kalitede. Kurulum. Doğru monte edilmiş, hatasız devre hemen çalışır. Ancak ilk anahtarlama, zorunlu akım tüketimi sınırlaması olan bir ağ güç kaynağından gerçekleştirilir. Elektronik akım sınırlayıcı kullanmak daha iyidir. C1 kapasitörü yerine geçici olarak bir düzeltici takılıdır - bir ayar kapasitörü (8...30 pF). Direnç R1, parlaklık değişikliklerinin aralığını istenen sınırlar dahilinde seçer. Direnç R2, LDS'nin maksimum parlaklığına karşılık gelen konuma ayarlanır. Kapasitörün kapasitansı seçilerek en yüksek parlaklık elde edilir. Kondansatör C6, parlaklık maksimumdan minimuma değiştiğinde PN işleminin en yüksek kararlılığı durumundan seçilir. Aynı zamanda, transistör VT3'ün ısı emicisinin ısınmasını da izlemeniz gerekir. Ne kadar ısınırsa, o kadar fazla pil enerjisi boşa harcanır. Burada C1, C6 kaplarının seçimiyle uğraşmanız gerekebilir. Bir VT3 bipolar transistör kurmaya karar verirseniz, ısıtma önemli ölçüde artacağından frekansın azaltılması ve radyatör alanının arttırılması gerekecektir. Kullanılan MOSFET'lerin kalitesi önemli bir rol oynamaktadır. Valf boyunca hiçbir sızıntı olmamalıdır. Transistör VT1 de düşük frekanslı olmamalıdır. Bu arada, Sh-ferritleri yerine hat transformatörlerinden gelen ferritler de uygundur. Ama yukarıda söylediklerim konusunda sizi hemen uyarıyorum. Devre neredeyse tüm (balastsız) LDS'lerle çalışır. Yalnızca güçte bir sınırlama sağlamak gerekir, aksi takdirde LDS büyük aşırı yükler altında da (genellikle başlatma sırasında) başarısız olur. Lambayı düşük güçte çalıştırmak için, başlatma süresi boyunca kontakları R2 direncinin (şemada gösterilmemiştir) karşılık gelen musluklarını kapatan bir basmalı düğme anahtarı sağlanır. Yazar: A.G. Zyzyuk
Dokunma emülasyonu için suni deri
15.04.2024 Petgugu Global kedi kumu
15.04.2024 Bakımlı erkeklerin çekiciliği
14.04.2024
▪ Akıllı telefonlar Poco X5 Pro ▪ Elektron mikroskobu - çocuklar için ▪ Stresin beyin yapısı üzerindeki etkisi ▪ Esnemek köpekler için de bulaşıcıdır
▪ site bölümü Saatler, zamanlayıcılar, röleler, yük anahtarları. Makale seçimi ▪ makale Lord Taşkentliler. Popüler ifade ▪ Feromon kokuları ne kadar uzağa gider ve ne kadar sürer? ayrıntılı cevap ▪ makale Yonca Brezilya. Efsaneler, yetiştirme, uygulama yöntemleri ▪ makale Paralel kirişlerle deneyler. fiziksel deney
Ana sayfa | Kütüphane | Makaleler | Site haritası | Site incelemeleri
www.diagram.com.ua |
Diğer makalelere bakın bölüm 
En son bilim ve teknoloji haberleri, yeni elektronikler:
Bu sayfanın tüm dilleri